「回路線幅43ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用したNANDフラッシュは08年度末に90%まで高める。... 「現在は回路線幅90ナノメートルと65ナノメートルプ...

先端プロセス開発に取り組む日本の半導体メーカーは、チップ上の回路線幅20ナノメートル(ナノは10億分の1)台の次世代半導体について、実用化に懸念を持つことが明らかになった。... その...

凸版印刷は、米IBMと回路線幅22ナノメートル(ナノは10億分の1)に対応した半導体フォトマスクの製造プロセスを共同開発する。

新製品は光ピックアップを制御するアナログ処理回路と、データ変復調やエラー訂正を行うデジタル処理回路をワンチップ化した。... 回路線幅150ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセス技...

「独自開発した回路線幅45ナノメートルプロセスは、直径300ミリメートルウエハーでの生産が立ち上がった。... 回路線幅45ナノメートル、さらに32ナノメートルまで微細化して顧客がどのようにメリットを...

回路線幅65ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した先端半導体製造を、台湾の台湾積体電路製造(TSMC)、聯華電子(UMC)や富士通マイクロ...

【大分】東芝は回路線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1)のシステムLSIの試験生産を大分工場(大分市)で開始した。... 「300ミリウエハー製造棟では回路線幅65...

半導体メーカー各社は、2010年の実用化を見込む回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した次世代半導体に、電力消費を効率化する金属材料を採用する。... 米IBM...

凸版印刷は12日、光の透過部であるガラス基板と遮光部の2層で構成される「バイナリータイプ」で、回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)に対応した半導体フォトマスクを製造する技術を...

最終製品の性能を向上するデバイス開発に力を入れるのはもちろん、回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)世代となる次世代半導体の研究開発も進めている。... eDRAMは周波数の範...

【京都】大日本スクリーン製造は最小回路線幅24マイクロメートルのプリント配線板を毎時150面検査できる業界最速の外観検査装置「PI―9000=写真」を9月に発売する。... 回路パターンの設計...

半導体分野では回路の微細化はもちろん、スーパーコンピューター(スパコン)用LSIや新材料・次世代メモリーの開発など数々のプロジェクトが進められている。... 「要素技術はLSIの回路、...

東芝は09年度、四日市工場(三重県四日市市)で回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)台の次世代プロセスを採用したNAND型フラッシュメモリーを量産する。... ...

「DRAMの回路微細化の流れは止まらない。... 「回路線幅40ナノメートル(ナノは10億分の1)世代から30ナノメートル世代まで採用。... 当社は09年初に量産を始める回路線幅50...

同アナライザーは回路線幅など半導体のプロセスを評価する装置で、研究開発部門で使う。

巻き返す秘策として挙げるのが「(回路線幅)32ナノメートルに対応した新しい描画装置」。

回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)世代までは現在同様に電荷保持を用いたDRAM(記憶保持動作が必要な随時書き込み読み出しメモリー)を主力事業に位置付け、同2...

また、メーカー各社は製造コストの削減を狙い先端プロセスを用いて回路線幅の微細化を進めているが、技術が追いつかず、生産段階で歩留まりが上がらない工場も出ている。

一つのチップにトランジスタを10億個も集積できるのは現在のところシリコン以外には見あたらない」 ―回路線幅32ナノメートルの先端プロセス開発では米IBMと共同研究することに合意しました。...

インテルは07年に、回路線幅45ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用したMPUを発売した。... 同社はムーアの法則に忠実に、チップ上の回路線幅を2年ごとに微細化してトラン...