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記事検索結果
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東芝のNAND型フラッシュメモリーやソニーの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーなど競争力の高い製品は少なくなく、国の支援を受けて半導体関連の国内での設備投資が活発化する可能性も...
X―M1は独自開発のAPS―Cサイズ相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載し、「35ミリメートルフルサイズ版センサーを搭載する機種と比べても遜色のない画質を実現した」(...
【高い表現力】 加えて大型相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーの搭載などで「ぼけ味」など高い表現力を実現した。
化学気相成長(CVD)でサファイア基板上にグラフェンが10層程度積み重なった多層グラフェンを合成し、酸化膜付きシリコン基板に転写して一般的な半導体プロセスで配線化した。 ...
28ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで試作した送受信回路チップ(4チャンネル)はクロック周波数が16ギガヘ...
1セル当たり2ビットの多値構造を採用したMROMを40ナノメートル世代(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで試作したところ、0・9ボルト電...
富士フイルムとパナソニックは11日、有機薄膜を搭載した相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサー技術を開発したと発表した。
一方、多結晶ゲルマニウムは絶縁膜上に低温で作れるため、下層のCMOS回路に影響せずに形成できる。 鎌田善己連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター特定集中研究専門員らは、シリ...
【横浜】筑波大学の大毛利健治准教授は、ディー・クルー・テクノロジーズ(横浜市港北区、石川明彦社長、045・470・0533)と東京工業大学とともに、金属酸化膜電界効果トランジスタ...
東北大学はNECの試作協力で、スピン注入磁化反転型磁気トンネル接合(MTJ)素子と、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術を組み合わせた論理混載用1メガ不揮発性メモリー...
汎用の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスを使う安価な製造法でゲート電極を二つの異なる材料で精密に作り込み、電力増幅を効率化した。... さらに電極の下に形成するゲート絶縁膜の膜...
産業技術総合研究所は住友化学と共同で、LSIの低消費電力化に寄与する、ゲルマニウムとインジウム・ガリウム・ヒ素を使った相補型金属酸化膜半導体(CMOS)インバーターを開発し、動作を実証...
この装置を使ってグラフェンFETのニッケル電極とグラフェン単層膜との界面を詳細に調べたところ、グラフェンから電極に電荷が移動しており、界面でp型領域が形成されていることを突き止めた。... さらに、こ...
フジクラは米マイクロイメージングソリューションズ(MIS、コロラド州)と、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)画像技術に関するライセンス契約を締結した。
東芝のNAND型フラッシュメモリーやソニーの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーは、世界でもトップシェアを争う製品で、両社の収益源だ。
