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記事検索結果
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【大河内記念生産特賞】▽三菱電機(高密度ビルドアップ配線板加工用高速マイクロ穴あけレーザ加工機の開発と実用化) 【大河内記念技術賞】▽富士通セミコンダクター、富士通研究所...
1062万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載し、裏面照射型で最低照度4ルクスと高感度化も果たした。
同線幅で動作電圧(コア電圧)1・8ボルトのCMOSコアトランジスタを実現した。 ... 同社では同110ナノメートルのCMOSプロセスはあるが、同電圧が1・2ボルトと小さく、ア...
キヤノンは19日、業務用の高性能相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサー搭載で1画素当たりの受光面積を従来比2・6倍にした家庭用ハイビジョン(HD)ビデオカメラ「アイ...
富士フイルムは同社初のGPS機能のほか、1600万画素の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを採用した「ファインピックス F550EXR」を3月末に国内外で発売する。
東芝からの工場の買い戻しを含め、長崎の拠点に2011年度に約1000億円を投じ、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの生産を増強する。... 12年3月末に電荷結合素子&...
ソニーは同工場を買い戻し、スマートフォン向けなどに需要が拡大する相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーを生産する。 ... ただ、東芝が今年CMOSの製造...
シリコン基板上に量子ドットレーザーを貼り付けたシリコン光源を3年間で開発し、将来、現行の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで量産してLSIチップに集積化する。
東京大学大学院工学系研究科の鳥海明教授らは、15ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)に使う新しい材料として、化合物半導体のゲル...
ルネサスエレクトロニクスは28ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降のシステムLSI開発に向け、標準の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)ロジック回路と親和性の高い混...
3・2メガバイトの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)カメラに対応でき、一般的に使われる1・2メガバイトのカメラと比べ、高精細な撮影が行える。
東京大学と産業技術総合研究所などは6日、22ナノメートル世代(ナノは10億分の1)のLSI開発に向け、従来のシリコンの限界を超える相補型金属酸化膜半導体(CMOS)トラ...
相補型金属酸化膜半導体(CMOS)集積シリコン・ナノフォトニクスと呼ばれる新技術で、10年間にわたって研究してきた成果。... 新技術は電気デバイスや光学デバイスを一つのチップに集積す...
ソニーは8日、映画用フィルムに相当するスーパー35ミリメートル相当の単板相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーを採用しながら低価格なデジタルシネマカムコーダー「PMW―F3...
65ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスを使って実際にチップを試作した。
ほかに、一眼レフカメラの約4倍の画素面積を持つ35ミリメートル相当の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを搭載した4K(4096×2160)解像度の映像...
