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ルネサス、混載ＤＲＡＭ技術開発−ＣＭＯＳプロセスを導入
(2010/12/9 05:00)
ルネサスエレクトロニクスは２８ナノメートル世代（ナノは１０億分の１）以降のシステムＬＳＩ開発に向け、...
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(2010/12/9 05:00)
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