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記事検索結果
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携帯電話用SoCでは電子回路の設計自動化(EDA)を推進。... 製造前工程では、より大口径の直径300ミリメートルウエハーラインで流しつつ、回路線幅を130ナノメートル(ナノ...
半導体各社は市況悪化を受け、製造コスト削減に効果がある回路線幅の微細化とウエハーの大口径化を推進。... だが、回路線幅を50ナノメートルまで微細化したDRAMの製造設備導入に資金を充てる。ルネサステ...
エルピーダメモリは29日、09年1―3月期にチップ上の回路線幅に50ナノメートルプロセスを採用したDRAMを量産すると正式発表した。... 回路線幅50ナノメートル品の生産設備導入などに充てる。
半導体各社は現在、2010年の量産開始を目指して、回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセス技術を採用した次世代半導体の開発に取り組んでいる。... 32ナノメートルでは、...
NECエレクトロニクスは08年度、半導体生産子会社のNEC山形(山形県鶴岡市)で、チップ上の回路線幅に90ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセス技術を採用したマイク...
同時に、あきる野テクノロジーセンター(東京都あきる野市)から三重工場(三重県桑名市)に、回路線幅90ナノメートル(ナノは10億分の1)世代以降のプロセス...
次世代半導体の開発をめぐっては、東芝とNECエレクトロニクスが回路線幅32ナノ(ナノは10億分の1)メートルの先端技術を採用したシステムLSI(大規模集積回路)の共同開...
チップ上の回路線幅を30ナノメートル(ナノは10億分の1)台まで微細化すると、40ナノメートル世代で用いた製造技術では対応できず、新たな製造技術開発と生産設備導入が必要になる。... ...
回路線幅30ナノメートル台の次世代半導体は材料やトランジスタ構造などの基盤技術のほか、製造技術開発も必要になる。回路をウエハーに焼き付ける露光装置の光源が半導体の回路線幅より太くなり、微細回路を形成で...
07年12月には四日市工場(三重県四日市市)の第4製造棟で、チップ上の回路線幅43ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセス技術を採用したNANDフラッシュの量産を開始...
新製品では、従来の回路線幅0・64マイクロメートルより微細化した同0・35マイクロメートルプロセスの白色LED用ドライバーICを6インチウエハー換算で月3000枚生産する。... 生産能力が月2万40...
業界最細の回路線幅45nm(nは10億分の1)の製造プロセスを採用した。フルHDのコーデックは標準画質の4倍以上の回路規模が必要。回路線幅65nmの従来品に比べ約4倍の数のトランジスタ...
第4製造棟ではチップ上の回路線幅43ナノメートルプロセス技術を採用した次世代半導体を製造。... 第5製造棟では回路線幅30ナノメートル世代の次々世代半導体の製造を計画。... ルネサステクノロジやN...
【川崎】東京応化工業は半導体先端テクノロジーズ(茨城県つくば市)と共同で、回路線幅(ハーフピッチ)が22ナノメートル(ナノは10億分の1)世代以降の次世...
