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記事検索結果
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サンプル注入口や検出器、電気基板の配置などの構造設計を見直して小型化し、横幅は同社従来機種比約35%減を実現した。... EUV露光は回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)...
ラピダスは回路線幅2ナノメートル(ナノは10億分の1)の最先端のロジック半導体の量産に挑む。... 現在、日本が製造できるロジック半導体は線幅40ナノメートルにとどまる。... TSM...
最も注目されるのは、回路線幅2ナノメートル(ナノは10億分の1)の最先端半導体の国産化を目指すラピダス(東京都千代田区)だ。
現在はさらに高精度な回路線幅の半導体への市場の要求に対応すべく、半導体製造装置の基幹部品をより高精度に加工する切削液の開発にも取り組む。
創業者で最高経営責任者(CEO)のウィリアム・リー(李斌)氏は同イベントで、このモデルにはNIOが自社開発した回路線幅5ナノメートル(ナノは10億分の1)...
「国内新工場はいずれもエピタキシャルウエハーの製造設備を導入し、回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の先端ロジック半導体向けが中心。
EUV露光装置は回路線幅7ナノメートル以降の回路の微細なパターンをウエハー上に転写露光する技術として先端半導体製造に不可欠となる。 ... 大日印/EUV評価用、3ナノメー...
米EFINIX(エフィニックス、カリフォルニア州、サミー・チャン最高経営責任者〈CEO〉)は、高速データ伝送に対応するプログラミング可能な集積回路(FPGA)の新製品「...
半導体の微細化が進む中、回路を形成するエッチング装置や回路の線幅などを測定する計測装置の重要性が増している。... 当社は半導体の回路線幅などを測定する測長SEMで世界シェア首位を占めており、非先端半...
EUV露光は回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の微細プロセスに対応する半導体加工技術。
TOPPAN(東京都文京区、斉藤昌典社長)は、半導体パッケージ基板のFC―BGAや、半導体回路の原板のフォトマスクを手がける。... 「米IBM(の開発向け)に回路線幅...
初回は回路線幅2ナノメートル(ナノは10億分の1)の次世代半導体の量産に挑むラピダス(東京都千代田区)の東哲郎会長に聞く。
7ナノメートル(ナノは10億分の1)以降の回路の微細なパターンをウエハー上に転写露光する技術として、先端半導体製造に不可欠となる。... ラピダスは回路線幅2ナノメートル以下という世界...
これまでに回路線幅22ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を使い、4096ビットの拡張可能な全結合型イジング大規模集積回路(L...
DMG森精機と独FUCHSは、オングストローム世代と呼ばれる回路線幅0・1ナノメートル(ナノは10億分の1)の半導体を製造する装置の部品を、DMG森精機の工作機械で...
東京理科大学の河原尊之教授らの研究チームは、回路線幅22ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を使い、現在の量子コン...
回路線幅3ナノメートル(ナノは10億分の1)の製品を手掛け、総事業費は約200億ドル(約3兆円)に達する可能性があるとしている。
その顧客で集積回路(IC)を設計するような企業は日米独にある。... またTSMCは回路線幅2ナノメートル(ナノは10億分の1)の先端半導体の研究開発を進める。
