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現在、ほぼ制限なく書き換えができるSRAMは低電圧化が難しく、待機時の漏れ電流による消費電力が大きい。

回路線幅10ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の次世代半導体の実用化に向け、素子の漏れ電流や消費電力の低減などさらなる技術向上が目立つ。

回路線幅が14ナノメートル(ナノは10億分の1)以降の超微細化や3次元実装などで課題となる、オフ状態での漏れ電流を抑制・管理する超極浅接合層の形成を実現する。

TDKは医療機器用電源で、漏れ電流やノイズ低減などの安全対策を満たす国際規格「IEC60601―1」を標準仕様にする。

インバーター駆動に伴って発生する動力線からの電流(漏れ電流)を低減することで電力損失を抑制し、省エネルギーにつなげた。

機能性高分子コンデンサーで問題となる漏れ電流を抑える新電解液も取り入れた。

常時使う電源回路には厚膜トランジスタを採用し、漏れ電流を減らして消費電力を削減した。

半導体レーザーの注入電流を変えながら、光強度を変調する「直接変調レーザー」と呼ぶ通信用光源で、10キロメートル程度までの短距離通信に使う。... アルミニウム・ガリウム・インジウム・ヒ素系の材料をレー...

漏れ電流検査時間を従来機比30%短縮し、1000分の6・8秒にして業界最速レベルを実現した。

このセンサー構造により、漏れ電流が減って感度が高まり、高速応答も実現した。 インジウム窒化ガリウムの窒化物薄膜はUVAの検出に適するとされていたが、従来は漏れ電流が大きいなど欠点があった。&#...

またスイッチ部が大きいためLSIチップ面積が大きくなり、漏れ電流の発生が待機時の電力を増大させてしまう欠点があった。

新電元工業は同社従来品に比べ順電圧とリーク(漏れ)電流のトレードオフを15%改善したショットキーバリアダイオードを開発、発売した。従来とは異なるトレンチプロセスを採用し、順電圧...

その結果、トランジスタの性能劣化を招く漏れ電流の量を従来比6ケタ小さくできることを確認した。... 低電力LSIの開発に必須のゲート絶縁膜の漏れ電流を減らすため、世界中の開発機関がしのぎを削っている。

漏れ電流を防ぐ構造を開発し、従来の耐圧600ボルトから大幅に引き上げた。... この反転層に沿って電流が漏れるためシリコン基板に電圧が加わらず耐圧性能に寄与しなかった。

HIOKI 医療用電気機器や家電など一般電気機器の漏れ電流を国際規格に基づいて測定できる試験器「ST5540」シリーズを月内に発売する。... 定格電流は20アンぺア、電圧は240ボルトで最大...

東京工業大学の岩井洋教授と早稲田大学の共同研究チームはワイヤ(細線)1本当たり1マイクロアンぺア(マイクロは100万分の1)と低い待機リーク(漏れ)電流...

また、現行LSIの課題である漏れ電流の抑制や、消費電力の低減にも寄与する。

つまり、この方式では、電流値が規定値を超えれば期待どおり遮断反応をするが、時として危険な電流値に達していないのに遮断反応をすることがあるのだ。... 漏れ電流には、火災や感電の原因になる危険な電流「I...

さらに金属酸化膜(MOS)半導体構造により、ゲート漏れ電流を防いだ。

東京工業大学の角嶋邦之助教と岩井洋教授は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)トランジスタに使うゲート絶縁膜を薄くしつつ、漏れ電流の増加を抑える新しいプロセス技術を開発した。... その...

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