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産総研、高誘電率のゲート絶縁膜を作製
(2010/12/9 05:00)
産業技術総合研究所は８日、次世代の省電力ＬＳＩを実現する０・５ナノメートル（ナノは１０億分の１）の非...
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(2010/12/9 05:00)
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