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記事検索結果
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1・2キロボルトのSiC―金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)パワー半導体で実証した。
EVなど活用期待 京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授らは、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET...
これまで同社製品のショットキーバリアダイオード(SBD)やモスフェット(MOSFET)に、昭和電工のSiCエピウエハーが採用された実績がある。
SiCパワー半導体の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)はロームが先行して技術開発し、事業化。
ロームは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の2素子内蔵品にオン抵抗を他社従来品比61%低減(P型部の比較)したプラスマイナス40ボルト耐圧品...
縦型MOSFETの耐電圧構造の中にCMOSを形成する素子構造を考案した。... ただ、CMOS駆動回路の出力電流が足りず、パワー半導体のMOSFETをスイッチングできなかった。 .....
徳田教授らはこれまでに、単結晶ダイヤモンドを用いた反転層チャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の動作を実証している。... そこから作製したダイヤモンド自立基板を...
【京都】ロームはP型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、オン抵抗を同社従来品比50%以上低減し、産業機器の省エネに貢献する新シリーズの生産を始めた。... ...
東芝のパワー半導体は300ボルト対応までの低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に強みを持つ。... 同社推計によると、低耐圧MOSFETの国内シェアは31...
三菱電機はスイッチング損失を従来比で約30%低減したパワー半導体「SiC―MOSFET 1200V―Nシリーズ TO―247―4 パッケージ」6品種のサンプル提供を月内...
【京都】ロームは1ミリメートル角サイズの超小型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。... ロームでは、車載ECU1個当たりでMOSFETを含む半導体や積層セ...
光源のVCSEL素子と、光源を駆動する金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)素子を1パッケージにモジュール化(写真)。... 従来は、基板上でVCSELと...
ロームは単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC MOSFET(炭化ケイ素 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ...
ロームの炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップなど用い、電気自動車(EV)の駆動部向けインバーターなど開発する。
【京都】ロームは、単位面積当たりのオン抵抗が業界最小のパワー半導体「1200ボルト 第4世代 SiC(炭化ケイ素)MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジ...
▽柯夢南・東京理科大学助教「AI・IoT時代における高性能・高信頼性Ge―MOSFETの開発と次世代デバイスへの応用」▽松尾貞茂・理化学研究所特別研究員「並列ナノ構造における弾道的電子輸送の解明と機能...
開発したパワーモジュールは、産総研で作製した耐圧1200ボルトのSiC―MOSFETを2個使用している。
【京都】FLOSFIA(フロスフィア、京都市西京区、人羅(ひとら)俊実社長、075・963・5202)は、独自の酸化ガリウム製半導体を用い、素子性能を表す移動度が一般の...
【京都】オムロンは漏れ電流が同社従来品比1000分の1となる1ピコアンペア以下の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)リレーモジュール(写真)を発売した。
三菱電機は、1平方センチメートル当たりの素子抵抗率が従来比約50%減の1・84ミリオームと世界最高水準を達成した炭化ケイ素(SiC)製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...
