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記事検索結果
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産総研スピントロニクス研究センターの薬師寺啓金属スピントロニクスチーム長らは、STT―MRAMに使われる垂直磁化トンネル磁気抵抗(TMR)素子に、イリジウム層と極めて薄いコバルト層から...
高分解能実現のため、トンネル磁気抵抗(TMR)素子を応用した高感度で低歪みのセンサーや、高機能演算処理回路などを開発した。
TDKが開発したEPS向け角度センサーは「TMR素子」と呼ぶ高出力でノイズの影響を受けにくいHDDの磁気ヘッドに使われている素子を活用。
【量産化技術に成功】 TMR効果を示す強磁性電極・トンネル絶縁膜・強磁性電極の三層構造からなる素子をTMR素子(またはMTJ素子)という。... 現在、巨大TMR効果...
高感度TMR(トンネル磁気抵抗)素子や電場によるスピン制御を利用するデバイスなど次世代デバイス開発が進展するものと期待できる。
【仙台】東北大学電気通信研究所の池田正二准教授と大野英男教授のグループは日立製作所と共同で、高いメモリー容量と不揮発性を兼ね備えた垂直磁化トンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発した。
記憶素子となる垂直磁化方式のトンネル磁気抵抗素子(TMR素子)を改良し、従来方式の約100倍の5ギガビット(ギガは10億)を超える大容量スピンRAMを実現可能にした。....
産業技術総合研究所は、次世代の記憶素子である磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)の大容量化につながる新構造のトンネル磁気抵抗(TMR)素子を開発した。... 磁...
室温で起こる巨大TMR効果なども期待される。 ... 局在スピンが、コバルトのナノ粒子間を移動する電子のスピン偏極率を増やすことが、巨大TMR効果の起源であることを見いだした。 原子力...