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記事検索結果
882件中、41ページ目 801〜820件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.016秒)
3ビット/セルは32ナノメートル(ナノは10億分の1)CMOS製造工程で作製、32ギガビット(ギガは10億)製品で世界最小面積を実現した。
90ナノメートルCMOS工程で作製したマルチコアLSIに、同65ナノメートルのSRAM(記憶保持動作が不要な随時書き込み読み出しメモリー)を積層。... 既存のCMOS工程を使えるため...
最先端の40ナノメートル世代(ナノは10億分の1)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)製造工程で、容量512キロビットのSRAMを四つ搭載したチップを試作した。
同LSIを相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーと組み合わせて携帯電話端末に搭載、1200万画素の写真撮影や動画出力を実現する。
発光ダイオード(LED)の近赤外線を指静脈に当て、体内で散乱した光を相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーで撮影し、静脈パターンを照合する。
「当社が持つ、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサー、画像処理エンジン『DIGIC4』を中心とする画(え)づくり、レンズの各技術で狙った点が顧客の要望に応えられたの...
相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーは新規に開発し、独自の裏面照射構造を採用して感度を従来の約2倍に高めた。... 859万画素、389万画素のCMOSセンサーを新開発した。&#...
【キヤノン】普及価格帯で35ミリメートルフルサイズの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーとフルハイビジョン(フルHD)動画撮影機能を搭載し、デジタル一眼レフカメラ...
相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサー前工程の熊本テクノロジーセンター(熊本県菊陽町)は、前回の年末年始に9日間停止しており、今回はライン稼働日数が増える。
熊本では相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーの増強を進め、第5期増強までに600億円近くを投入、同2万枚程度に引き上げた。 ... 資金を重点投入してきた電荷結合...
集積回路で主流の論理回路「CMOSロジックプロセス」と親和性が高く、信号処理LSIなどの通信回路ブロックと1チップ化が可能。... 1チップ化にはCMOSプロセスを使いつつ、化合物半導体以上に高周波領...
セリートは次世代の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)に、金属電極と高い誘電率を持つハフニウム系材料で作った絶縁膜を組み合わせた構造を採用する見通しだ。一般に絶縁膜にはランタンを加え、C...
通常、微細化したシリコン相補型金属酸化膜半導体(CMOS)トランジスタの性能向上と低消費電力化のために高誘電率ゲート絶縁膜の一層の薄型化が求められている。
