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記事検索結果
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現在、携帯用カメラのイメージセンサーは相補型金属酸化膜半導体(CMOS)が主流だが、デジカメにより近い性能を実現するためには電荷結合素子(CCD)に戻る可能性がある。「...
有効画素数1510万の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーと、処理速度を約30%高めた映像処理エンジン「DIGIC4」を新たに開発、搭載した。
長さ10センチメートルのパイプの先端に直径3ミリメートルの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを取り付けて、狭い場所を高感度に撮影できる。... 開発した「デンタルウオッチ」は、...
以前は電荷結合素子(CCD)カメラを使っていましたが、07年発売では相補型金属酸化膜半導体(CMOS)カメラに切り替え、機能を落とさず低価格化を実現した。
日本エレクトロセンサリデバイス(大阪市西区、力身(りきみ)総一郎社長、06・6534・5300)は、独自開発のエリア相補型金属酸化膜半導体(CMOS)セ...
65ナノメートル(ナノは10億分の1)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで試作した回路では、処理量が増えた時に低下する電源電圧の値が約40%改善した。&...
東芝やソニーなど半導体製造の民間11社が出資する半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS...
開発技術は、LSI内の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)を構成するn型、p型のトランジスタとメモリー用トランジスタのゲート電極に共通の新金属材料を使う。
東芝と米IBMは共同で、次世代LSIに適用を目指す、補型金属酸化膜半導体(CMOS)トランジスタの新しい基板を開発した。現在のCMOSはすべてシリコン基板を使っているが、開発した基板は...
相補型金属酸化膜半導体(CMOS)トランジスタ全体の抵抗値を30%程度減らせる見込み。... CMOSを構成するソース/ドレイン電極の抵抗のうち、電極材料とシリコン基...
カシオ計算機 手のひらになじむ曲線形状で持ちやすく、操作しやすいハンディターミナルの相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージャー搭載モデル「DT―X7 M52S」を9...
東芝は19日、45ナノメートル世代(ナノは10億分の1)以降の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)ロジックに適用する、新しい設計モデルを開発したと発表した。
NECエレクトロニクスは先端LSIの40ナノメートル(ナノは10億分の1)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセス向けに、トランジスタ特性のバラつきを低減する技術を開...
デジタルカメラの代表的な撮像素子(イメージセンサー)である電荷結合素子(CCD)と相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーを中心にカメラ技術について、...
ソニーは11日、シリコン基板の裏側から光を照射する構造にした相補型金属酸化膜撮像素子(CMOSイメージセンサー)を試作したと発表した。... 開発した裏面照射型のCMOSイメージセンサ...
バイポーラや相補型金属酸化膜半導体(CMOS)などの特徴を一つに集約したBCDプロセス技術を最大で32個同時測定できる。
