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記事検索結果
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有機トランジスタの性能向上 東京大学の井上悟助教と長谷川達生教授らは、分子の長さで有機半導体の極性結晶と反極性結晶を作り分ける技術を開発した。... 有機トランジスタの性能が向上する...
物質・材料研究機構の廖梅勇主席研究員らは、世界初となるn型チャネル動作によるダイヤモンド製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。
「トランジスタは20世紀最大の発明といえるが、これは科学者の単なる好奇心が生んだものではなく、真空管に代わる固体の増幅素子が必要という社会の要請に応える形で開発された」と語り、研究者にはそうした姿勢が...
シリコンより電力損失の低い炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を搭載した製品も用意した。
同社は10年に、世界で初めてSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を量産したが、実はその1年前の09年、SiCウエハーを手がける独サイクリスタルを買収している。
一般的に、半導体ウエハー製造工程のトランジスタ形成までを前工程、配線工程以降を後工程と呼ぶ。
都倉教授らはCMOSトランジスタの「サブスレッショルド領域」で動作するNANDゲートに焦点を当て、計算の過程とそれに伴う散逸熱を解析。
1ナノメートル(ナノは10億分の1)世代以降で鍵となる相補型電界効果トランジスタ(CFET)を見すえた最先端の技術だ。 一方、近年は人工知能(...
「我々は低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で世界上位のシェアだが、電動化や電装化の影響でMOSFET全体の需要が10年で1・6倍になるとされる。
東北工業大学の柴田憲治教授は東京大学、東北大学などと共同で、半導体コロイド量子ドット1個を使った単一電子トランジスタを作製し、電気伝導の詳細な評価と制御を行った。... さらにゲート電極にシリコン基板...
量子計算機の性能向上に道 産業技術総合研究所新原理シリコンデバイス研究チームの岡博史主任研究員、森貴洋研究チーム長らは、トランジスタが低温で動作するメカニズムを解明した。... 集積...
ノーマリーオフはゲート電圧をかけなければトランジスタがオフ状態になる。... この方法ではゲート電圧をゼロにしても、トランジスタがオフ状態にならない。新技術のようにゲート電圧ゼロでトランジスタがオフに...
大阪公立大学の梁剣波准教授、重川直輝教授らは東北大学などと共同で、ダイヤモンドを基板に用いた窒化ガリウム(GaN)トランジスタを作製した。炭化ケイ素(SiC)基板上に作...
ロジック半導体などのトランジスタ構造は30年までに現在のフィンフェットからGAAナノシート、そしてシーフェットへと変わっていく。
次世代の縦型トランジスタやメモリー、量子ドット構造を内蔵した量子細線レーザーや量子構造太陽電池、量子ナノセンサーなどの高性能化につながる。
東北大学の佐藤昭准教授らは理化学研究所などと共同で、トランジスタの新動作原理であるプラズモンで、テラヘルツ波(テラは1兆)の検出感度を1ケタ以上高めた。... 研究チームはインジウムリ...
例えば、IBMの基礎研究所では、指の爪ほどの大きさに500億個のトランジスタを搭載した世界最先端のチップ開発に成功した。
