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記事検索結果
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同社が製造する極端紫外線(EUV)露光装置は、最先端半導体の生産に欠かせず、数十人から100人程度の技術者が、ラピダス新工場の生産ラインの立ち上げや保守点検に協力する。 ...
極端紫外線(EUV)露光装置に比べ工数を減らすことができ、多くの電力も必要ない。... このためEUV露光装置と比べ、対象工程の製造コストを約4割、消費電力を同9割それぞれ減らせる見込...
レーザーテックは半導体向け極端紫外線(EUV)露光用パターン付きマスクの欠陥を高感度で検出できる高輝度EUVプラズマ光源「URASHIMA(ウラシマ)...
マイクロンが2025年12月―26年2月の出荷を目指している、国内で初めてEUV(極端紫外線)露光装置を使った次世代メモリー半導体の量産に最大1670億円、同半導体を積層した先端DRA...
蘭ASMLのクリストフ・フーケ副社長は、ラピダスがパイロットラインを立ち上げる2025年までに極端紫外線(EUV)露光装置の導入準備を進めるほか、台湾積体電路製造(TSMC&#...
フッ化アルゴン(ArF)などEUVよりも旧世代の光源に多く使われており、自動車や産業機器など幅広い製品に搭載される半導体の製造に用いることから、中長期的な需要拡大が見込まれる。 ...
一方、ArF液浸などEUV以外の露光装置の今期の売上高見通しを引き上げた。... 一方、先端のEUV露光装置は一服感が目立つ。... EUV露光装置を設置するための熟練工も不足している模様だ。
EUV露光用部材増強 ―事業環境の認識は。 ... (中国の需要に対し)今後どのようなサプライチェーン(供給網)...
実際にJSRは21年には極端紫外線(EUV)の露光効率を高める金属系レジストを製造する米インプリアを約450億円で買収。
電子回路の微細化に対応するため、リソグラフィーの露光波長の短波長化が進み、現在は波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)の極端紫外線(EUV)を使ったEUVリソグ...
ADEKAは千葉工場(千葉県市原市)でEUV(極端紫外線)フォトレジスト向け材料の生産設備を増設した。... フォトレジストの開始剤として使用され、...
EUVリソグラフィー技術は、量子科学技術研究開発機構(QST)も含む、大学、研究機関、企業での10年以上をかけた研究開発を経て実用化されている。 ... 物質を透過し...
【広島】米マイクロン・テクノロジーは22日、日本と台湾で導入を計画するEUV(極端紫外線)技術に関連し、次世代のDRAM製品の生産開始時期について台湾で2025年、日本では26年とする...
マイクロンはEUV(極端紫外線)技術を導入し、次世代DRAMを開発・量産する。EUV技術の導入は日本で初めてという。
極端紫外線(EUV)マスク検査用光源などのインダストリアルプロセス事業の強化や、紫外線治療機器を含むライフサイエンス事業を新たな経営の柱に育てる。
AGCは27日、半導体向けの極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランクスの生産能力について、2025年までに現在と比べ約30%増にすると発表した。... AGCでは17年に...
3月には北海道千歳市に新工場の建設を決めたほか、ベルギーの世界的な次世代技術の研究機関imec(アイメック)と次世代半導体の微細加工に必要な極端紫外線(EUV)露光技術...
次世代半導体微細加工向け 最先端半導体の開発製造会社のRapidus(ラピダス、東京都千代田区、小池淳義社長)は4日、ベルギーの世界的な次世代技術の研究機関であるim...
1ケタナノメートル台の半導体を製造するのに欠かせない極端紫外線(EUV)のマスク用防護カバー製造装置やEUV用に設計された塗布・現像装置などが対象になる。EUVの1世代前「ArF液浸」...
一方、JSRや東京応化工業、住友化学などが展開する極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストでは、輸出管理厳格化の影響はほとんどなかったようだ。... フォトレジストは日本企業が世界シ...
