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記事検索結果
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バッファローメモリ(名古屋市中区、050・5830・8900)は、使用頻度の高いデータの出し入れを行うキャッシュメモリーにMRAM(磁気抵抗変化型メモリー)を採用したソ...
低消費電力のMRAM混載LSIを数年後に実用化する。... MRAMの信頼性を評価するモデルを初めて提案し、試作したMRAMを適用したところ、0・5ボルト以下の低い電圧で、10年間安定して動作できる実...
【MRAMに照準】 スピントロニクス分野の中で次の実用化のターゲットとなるのは、磁気抵抗センサーを高性能な記録素子として使う不揮発磁気抵抗メモリー(MRAM)である。...
東芝は次世代メモリーとしてMRAM(磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリー)を韓国ハイニックス半導体と共同開発。... 韓国サムスン電子は3次元NAND、MRAM、ReRAMなど複数の...
これらの磁気抵抗効果は、既にハードディスク駆動装置(HDD)の再生磁気ヘッドや不揮発性の磁気抵抗メモリー(MRAM)の記憶素子として実用化されており、磁気記録の発展に大...
半導体もNANDで競合している韓国のハイニックス半導体と提携し、次世代メモリー「MRAM」の開発に着手するなど次々と手を打っている。
既存の不揮発性記憶素子である磁気抵抗メモリー(MRAM)と組み合わせれば、多値機能を持つ大容量のメモリー素子としての実現が期待できる。
ポストDRAMでは韓国・ハイニックス半導体がMRAMの開発を加速。... 技術的にはReRAMは動作性、MRAMは大容量化に課題があるとされる。... サムスンは豊富な経営資源を3次元NAND、MRA...
東芝は13日、韓国・ハイニックス半導体と磁気抵抗変化型ランダムアクセスメモリー(MRAM)技術を共同開発することで合意したと発表した。... 東芝は中核のNAND型フラッシュメモリーと...
日立製作所や東芝、富士通、NEC、ルネサスエレクトロニクスなど半導体関連企業10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合は、電源を切ってもデータが消えない不揮発性磁気メモリー(MRAM)...
大日本印刷は従来の外装シールドに比べて面積比で40%、体積比で70%省スペース化した不揮発性磁気メモリー(MRAM)向け「低周波シールド板」を開発した。... 大日印で...
スピン注入型MRAMの骨格をなすのが、磁気抵抗効果を持つトンネル接合素子(MTJ素子)だ。... これで、スピン注入型MRAMの課題であったトランジスタの小型化が実現する。 ....
MRAMは極小の磁石をLSI内に作り込んでいる。... MRAMが注目されているのは大容量化への道筋が見えてきたためだ。... 注目を浴びているのがスピン電流注入MRAMだ。
NANDフラッシュは数年後に迫る10ナノメートル(ナノは10億分の1)台で微細化の限界になると見られ、ポスト候補はPRAMやMRAM(磁気抵抗メモリー)やReRM...
富士通研究所とトロント大学は、次世代不揮発性メモリーとして期待されるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM)で課題だった、誤って書き込みが発生しない読み出し方式を世界で初めて開発し...
開発したのは、電流で生じる「スピントルク磁化反転」で情報を書き込むスピンRAMと呼ばれる新方式のMRAM技術。... 今後は、書き込み電流を減らせる低電力の垂直磁化膜をTMR素子に適用、大容量MRAM...
