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三菱重工業は7日、地球上で3番目に硬い素材とされる炭化ケイ素(SiC)などの難削ウエハー材の精密加工に成功したと発表した。... SiCのほか、サファイアやグラッシーカーボン、石英ガラ...

当時、SiCの実用化には慎重な態度を崩さなかった。... 11年に本格生産を始めると宣言した計画を早め、10年秋にSiC製ダイオードとSi製トランジスタを組み合わせた「ハイブリッドSiC」のインバータ...

太陽光発電用の多結晶シリコンや炭化ケイ素(SiC)ウエハーなど、特徴的な素材製品を多く持つ。... 【記者の目/SiCウエハー会社の柱に育成】 同社の手がけ...

当時、半導体製造装置関連の顧客から要望を受け、アルミ合金に炭化ケイ素(SiC)を混ぜ込んだ金属基複合材料(MMC)の採用に向けた開発を進めていたという。

シリコン基板上にGaNを作り込むのが特徴で、炭化ケイ素(SiC)基板上に積層する競合他社に比べ、大口径化が簡単でコスト競争力を高めやすい。

中長期戦略では、山西健一郎社長は、スマートグリッド、SiC(炭化ケイ素)、電気自動車(EV)市場を「成長の三つの種にする」と述べた。 ... SiC半導体は11...

今回特に、直径10ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の高密度なシリコン量子ドットと、中間層として炭化ケイ素(SiC)を組み合わせた場合に、量子ドット太陽電池の高効率...

金属ベース基板と上面電極の間にSiCチップを搭載した。両面放熱構造で、サイズも従来比2分の1、SiC搭載時は10分の1と小型化、薄型化、高密度化が可能になる。 ... SiCパワー半導体デバイ...

まず、炭化ケイ素(SiC)のウエハーに気相成長でグラフェンの層を2、3層作り、トランジスタが並んだアレイを作製。

松波弘之京都大学名誉教授は「パワー半導体SiCが導くグリーンイノベーション」と題する特別講演を行った。... SiC半導体技術の開発経緯の説明では、エピタキシャル成長を使って高品質なSiC結晶を実現し...

また発電した電力を運ぶために必要な電力の変換技術として、「炭化ケイ素(SiC)」という新材料を利用した電力変換器を説明。

炭化ケイ素(SiC)製の接合型FET(JFET)を内蔵したモジュール(写真)は低損失と高速駆動を実現した。

材料メーカーとして蓄積したノウハウを生かして開発した「無酸化雰囲気炉」は炭化ケイ素(SiC)を材料にした電子基板などの製造に適している。

ニッケは韓国の粒子状物質減少装置(DPF)メーカーからSiC(炭化ケイ素)繊維フェルトを受注した。SiC繊維フェルトは2010年4月に参入した事業で、今回が初受注。.....

この炭素とシリコンを混合して従来より高い2400度Cの温度でSiCに焼成する。温度のほか、加熱時間などの条件も制御し、絶縁性の高いSiCの焼成技術を確立した。従来のSiCは絶縁性が低かったため、放熱シ...

SiCは省電力効果があるパワー半導体の次世代材料として成長が見込まれる。... 新日鉄はクリーと手を結ぶことで、クリーが全世界で持つSiC単結晶ウエハーとSiCエピタキシャルウエハーの特許を利用できる...

サンケン電気は炭化ケイ素(SiC)半導体市場に本格参入する。... 次世代半導体で、GaN、SiCの二つの素材を事業化することになるが、高耐圧品をGaN、低中耐圧品をSiCと用途により...

またより省エネルギー化が可能な次世代半導体材料のSiC(炭化ケイ素)を採用したモジュールも開発する。

窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)の加工技術やデバイスについて、鈴木彰立命館大学客員教授や康香寧北京大准教授らによる5講演を実施する。

例えば、三菱電機はシリコンに代わる炭化ケイ素(SiC)材料の半導体を家電製品や電機品に搭載しようとしている。... SiCは高温に強く、これまで水冷だったものが空冷になったり冷却構造が...

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