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記事検索結果
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同じく優秀賞に選ばれたのはブリヂストンの「高純度SiC製プロセスウエハーの開発」です。炭化ケイ素(SiC)は次世代の半導体材料として、電力素子や発光素子用に期待されていますが、焼結体の...
しかし従来のSiC製品では半導体分野が要求する高純度の達成が困難であり、汎用的な活用にはハードルがあった。そこでその克服に向け、SiCの製造プロセスにおいて独創的な基本技術の構築とその工業化への量産技...
自動車向けをはじめとする炭化ケイ素(SiC)パワー半導体開発で、デファクト・スタンダード(事実上の標準)を握る組織となる。 ... また同日、京都大学や三菱電機...
【京都】ロームは10日、炭化ケイ素(SiC)製のパワー半導体とショットキーバリアダイオード(SiC―SBD)「SCS110Aシリーズ」の量産を4月下旬に始めたと発表した...
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を中心にパワー半導体の生産を増やすほか、炭化ケイ素(SiC)を活用した低損失次世代パワー半導体も製品化する。
((下)は25日に掲載) 【地域の企業・大学が連携】 相模原市・町田市の企業見学ツアーはモノづくり推進会議のほか、相模原・町田大学地域コンソー...
【厚木】さがみはら産業創造センター(SIC、相模原市、石川幸二社長、042・770・9119)は、29、30、31日の3日間、相模原市の職業能力開発総合大学校で、「低炭素モデルシステム...
炭化ケイ素(SiC)製のフィルターは引き続きイビデンが供給するが、設計の自由度が高まることでさまざまな製品サイズに対応可能になるという。
シリコンに代わる新材料SiCで精密なインゴットをつくれなければ、切断した際に不良が多くて実用化できない。... 2010年度から5年計画のSiCパワー半導体開発は、ユーザー企業を交えて最終製品・システ...
プラズマ化学気相成長(CVD)法を使い、非晶質の炭化ケイ素(SiC)膜を作製する独自の手法で、シリコン量子ドットの粒径を制御し、積層化する。 今回、シリコン量子...
【訪問記冊子に】 大学生の企業訪問ツアーは、さがみはら産業創造センター(SIC)などと連携した取り組みで、神奈川県相模原市と東京都町田市にあるモノづくり企業の現場を学生らが見学...
【SiCに注目】 注目を集めるのがシリコンに比べ絶縁破壊強度が約10倍という炭化ケイ素(SiC)パワー半導体だ。
具体的には「世界トップレベルにある炭化ケイ素(SiC)を含めたパワー半導体を早期に社内製品に適用し、環境関連で新たな成長を実現する」とする一方、「新興国を中心に社会インフラ事業はさらに...
【4者共同で基板】 宇宙で使用する基板は表面に一直線の段を多数設けた円盤状の炭化ケイ素(SiC)。... 段はSiCをワイヤソーで切断する際の精度誤差を利用して加工した。
経済産業省は炭化ケイ素(SiC)パワー半導体について、さまざまな業種の企業が集まって開発するオープンイノベーションの手法を初めて採用し、インゴット、ウエハーからデバイス、システムまでを...
ディスコは半導体切断装置で使うブレード(刃)に超音波振動を伝えることで、パワー半導体の基板材料である炭化ケイ素(SiC)の加工を効率化できる「超音波ダイシングユニット」...
三菱電機は20日、炭化ケイ素(SiC)製ダイオードと絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を組み合わせた大容量パワーモジュールを開発した発表した。... IGB...
