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記事検索結果
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その代表格が炭化ケイ素(SiC)。... SiCはシリコンに比べて絶縁破壊に至る電界強度が約10倍。... これに対して同社は09年にSiC製で電力損失9割低減を実証した。
発電電力を流す高温超電導ケーブルや蓄電する二次電池、直流から交流への変換時にエネルギーロスを抑える炭化ケイ素(SiC)を使ったパワーデバイスで需要を取り込みたい」 ―自動車関連...
電力損失の少ないSiCはシリコンに代わるパワー半導体材料として有力。... 【用語】SiCパワー半導体=SiCはシリコンと比べて絶縁破壊に至る電界強度が約10倍、熱伝導率が2―3倍。... S...
【川越】秩父電子(埼玉県秩父市、強谷隆彦社長、0494・22・5955)は、2月末をめどに炭化ケイ素(SiC)ウエハーの平たん度を高める研磨技術を確立し、4月にも同ウエ...
【厚木】さがみはら産業創造センター(SIC、神奈川県相模原市、石川幸二社長、042・770・9119)は、地域の企業と学生のマッチング事業を2月から始める。
【次世代トランジスタ】 従来のシリコンに加え炭化ケイ素(SiC)や有機物、酸化物からカーボンナノチューブ、グラフェンまで。... パワー半導体の将来を担うSiCトランジスタは高...
【南大阪】新関西製鉄(堺市堺区、田辺寛隆社長、072・238・5561)は、鋼材のコーナーエッジ部を3R(半径3ミリメートルの曲面)加工した平鋼「SIC―R3=...
新日本無線は16日、基板に炭化ケイ素(SiC)を用いたショットキーバリアダイオード(以下SBD)を低コストで生産する技術を確立したと発表した。... SiC製のSBDで...
丸紅は10日、名城大学発ベンチャー企業のエルシード(名古屋市、神谷忠雄社長、052・783・5238)と、炭化ケイ素(SiC)基板を利用した次世代白色発光ダイオード&#...
SiCエピタキシャルウエハーは現在、パワー半導体に使われているシリコン半導体よりも高温動作や高電圧・高電流に耐えられる性質を持つ。同社はSiCエピタキシャル層の成膜方法を変えることで、表面粗度を小さく...
【横浜】レーザーテックは炭化ケイ素(SiC)ウエハー向けの欠陥検査装置「WASAVIシリーズ SICA61=写真」を発売した。... これにより、コントラストの高い明瞭...
窒化ガリウム製素子は高耐圧の炭化ケイ素(SiC)製素子より安価に作れる。... 実用化で先行する炭化ケイ素(SiC)製素子は高コストが課題とされる。
微小電気機械システム(MEMS)や発光ダイオード(LED)、炭化ケイ素(SiC)半導体など大量生産を必要としないラインに採用を見込む。
さがみはら産業創造センター(SIC、神奈川県相模原市)は9日13時半からSICで、「総合経営相談会」を開く。... 問い合わせはSIC(042・770・9119)へ。&...
東京エレクトロンは2010年から炭化ケイ素(SiC)エピタキシャル成長膜製造装置を事業化。... SiCウエハー上に結晶膜を堆積(たいせき)成長させる化学気相成長...
