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記事検索結果
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強誘電体の単結晶を使った分極反転構造を持つ波長変換素子を長年、開発してきた技術を生かした。強誘電体は電界を印加するが、水晶の場合は応力を印加させ、微細な周期で反転構造を作る独自の手法を開発した。...
富士通セミコンダクターは各種機械のログ管理の用途を見込んだ強誘電体メモリー(FRAM、写真)を発売した。... FRAMは強誘電膜をデータ保持用キャパシターに用いた不揮発性メモリ。
不揮発性メモリーに使う強誘電体と半導体を組み合わせて実現。... パナソニックは強誘電体の表面にある電子が真空中やマイナス250度C以下の極低温状態で表面を移動する現象に着目。これを室温で実現するため...
FRAM(強誘電体メモリー)とは強誘電体の分極を利用した不揮発性メモリー。... 記憶セルは、電気が流れる強磁性体で薄い絶縁体を挟み込んで膜を作る構造。... MRAMは磁性体を微細パ...
無機材料に比べ、遅れている有機材料の強誘電体デバイスの開発が進展する。... 無機材料の強誘電体であるチタン酸バリウムに近い性能を持つという。 ... 従来知られる有機強誘電体はわずかで、特に...
ロームは世界で初めて強誘電体メモリー(FeRAM)用の強誘電体素子を量産化したが、2001年に撤退。... 08年に強誘電体素子を用いた独自の不揮発ロジック技術を確立。... レジスタ...
折り曲げ特性などフレキシブルな特徴を持つ有機物で強誘電体の開発が進めば、圧力で強誘電性の制御ができるようになる。... 強誘電体は、外から電場をかけるとプラスとマイナスに反転する電気分極を示す絶縁体。...
研究グループでは強誘電体のビスマス鉄系酸化物(BiFeO3)薄膜の結晶成長を制御し、強力な圧電反応を得ることに成功した。
日本原子力研究開発機構の量子ビーム応用研究部門の深沢裕研究副主幹と東京大学大学院理学系研究科の鍵裕之准教授らは20日、実験室で合成した強誘電性を持つ氷(強誘電体氷)の赤外吸収強度分布&...
強誘電体メモリー(FRAM)素子に応用すれば、集積度が従来比1000倍に向上する。... これを鋳型にし、上から強誘電体のPZTを被膜する。 ... 酸化亜鉛の圧電体を使う従来...
▽大塚貴弘名城大学理工学部准教授=建築鋼構造部材に対する局部座屈を考慮したはり要素モデルの開発▽栗濱忠司中部大学工学部教授=新しい強誘電体と超伝導体の設計と物性評価に関する研究▽橋井光...
東京大学大学院の竹内健電気系工学専攻准教授と産業技術総合研究所の酒井滋樹フロンティアデバイスグループ長は、不揮発性ページバッファー(写真)を備えた強誘電体NANDフラッシュメモリーを共...
首都大学東京の真庭豊教授らと産業技術総合研究所の研究グループは、単層のカーボンナノチューブ(CNT)内に閉じ込められた水分子が、特異な性質を示す世界最小の強誘電体であることを明らかにし...
演算途中データなどを一時保持する記憶領域であるレジスタ内に、電源遮断時でも演算処理状況を保持する強誘電体素子を実装し、不揮発性を実現した。
強誘電体は絶縁材料のため原理的に消費電力はゼロ。... 強誘電体は電圧をかけると材料の誘電率が変化する性質を持つ。今回、強誘電体の代表的な材料チタン酸バリウムに、誘電率の低い酸化セリウムを組み合わせた...
東芝は9日、電源を切っても記憶を保持する不揮発性メモリーで、従来比8倍高速な毎秒1・6ギガバイト(ギガは10億)でデータを転送する強誘電体メモリー(FeRAM)を開発し...
粉体製造装置メーカーの同社は、ナノ粒子を制御する技術を蓄積。... 同社は低温焼成が可能な強誘電体メモリー材料や、プラズマ・ディスプレー・パネルを鮮明にする蛍光体材料などの開発にも着手。開発分野は粉体...
