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記事検索結果
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三洋半導体(群馬県大泉町、田端輝夫社長、0276・61・8341)は、リチウムイオン電池向け充放電保護回路のスイッチとして使うMOSFET(金属酸化膜電界効果トランジスタ...
三菱製品は試作とはいえ、一般的なインバーターに使うシリコンIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)と比べ電力損失が半分という数字をたたき出した。
正方形の一つの角に赤外発光ダイオード、二つの角に受光器の役目を担うフォトトランジスタを配置し、遮光物となる球体を内部で転がす。
NANDフラッシュの記憶容量を増やす多値化や3次元構造のトランジスタを用いるなど、現有技術の延長線上となる技術開発も進める。
さらに動作抵抗が0・1オームと低い金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)で低損失を実現、放熱部品を不要としたことなどで小型化した。
ルネサステクノロジは14日、二つのパワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を一つのパッケージに収めた「RJK0383DPA=写真」を製品化したと発表した。
取り組みには、プロセスの構造を工夫して減らすことや、トランジスタの面積を大きくして減らす試みなどがある。
半導体各社が想定する開発の工程表(ロードマップ)では2013年に、32ナノメートル品を一段と微細化してトランジスタの集積度を高めた回路線幅22ナノメートルの“次々世代”半導体の実用化が...
だが、現在では回路線幅45ナノメートルプロセスが実用化されており、トランジスタの集積度も上がったためワンチップで多くの機能をまかなえてしまう」 ―回路線幅32ナノメートル以降の戦略をうかがいま...
1個ならば回路線幅20ナノメートル台のトランジスタを形成できるが、量産に使えるEUV露光の研究開発の成否が見えないと20ナノメートル台の回路を完成できるとは言えない」 ―微細化以外に、3次元構...
半導体の研究開発は過去40年にわたって回路の微細化を軸に進み、技術的には同10ナノメートルを切るトランジスタも形成できる。... 半導体の回路は「約2年でトランジスタの集積度は倍になる」との「ムーアの...
NECエレクトロニクスとNECは、高速メモリー混載の次世代システムLSIを構成する3種のトランジスタを同一材料で形成する低コストな製法を開発した。... 各トランジスタによって動作させる電圧値の要求が...
半導体業界は2年ごとに回路を微細化しトランジスタの集積度を高めてきたが、2010年に実用化する32ナノメートル以降、20ナノメートル世代では3次元構造の採用など微細化以外の道を探ることになる。 ...
東芝と米IBMは共同で、次世代LSIに適用を目指す、補型金属酸化膜半導体(CMOS)トランジスタの新しい基板を開発した。... 同材料を使ってこれまで開発を進めてきた基板に比べ、今回改...
微細化の進展で、集積するトランジスタ間の距離が短くなると素子性能が変動する課題に対し、変動量をあらかじめ予測して作り込むことで集積度を約30%高める。... 従来法で65ナノメートル世代から4...
