NANDフラッシュは数年後に迫る10ナノメートル(ナノは10億分の1)台で微細化の限界になると見られ、ポスト候補はPRAMやMRAM(磁気抵抗メモリー)やReRM...

実現すれば、携帯電話などの電子機器の小型・低消費電力・高性能化が見込まれる。2013年をめどに実用化を目指す。... 携帯情報端末(PDA)などの電子機器に内蔵されているNOR型フラッ...

低電圧化の課題だったSRAMの動作不良を防ぐ新回路技術を開発し、SRAMの不良率を1万分の1に減らした。LSIの消費電力は電源電圧の2乗に比例するため、低電圧化で消費電力はほぼ半減できる見込み。......

従来は電源電圧を高くして性能を保っていたが、LSIの微細化が進むにつれ、消費電力を抑えつつ、性能の劣化を改善する要求が高まっていた。

ロジックカウンタICでは世界トップクラスの微細化。... 装置メーカーと共同で量産ライン開発を進めたが未知の微細化領域で、かなり苦戦した。微細化はIC機能の拡張が狙いで、「3年内に同90ナノメートルを...

【宇都宮】錦正工業(栃木県那須塩原市、永森久之社長、0287・36・1077)は金属組織を独自ノウハウで微細化した鋳鉄加工用の新素材を開発、2010年春に実用化する。... 新素材は鉄...

その後、材料粒子の微細化でさらに充電性能を高める研究に没頭。... 自動車向け電池の製品化が最大の関門。採用検討中の自動車メーカーは性能項目ごとに達成度合いを点数化した星取表をつきつけ、性能改善を求め...

また同じくPETとガラス繊維と複合化した素材もあるが、新製品は繊維を含まないため切削性に優れ、使用時に摩耗してもくずを発生しにくい。... 電子部品の微細化に伴い寸法精度の高い素材が求められるため、需...

半導体などの微細化技術の進展で、ほんのわずかな不純物が製造の歩留まりに影響するため、新材料は半導体洗浄液に含まれる微量金属を除去するフィルターなどに適している。

LSIを構成するトランジスタの寿命にかかわる絶縁膜の信頼性は、実用化に向けた最大の課題だった。... 従来材料の酸化ケイ素は信頼性は高いが、トランジスタの回路線幅が微細化し、漏れ電流が増大するなど材料...

現在のシリコントランジスタが従う微細化の鉄則は、高性能化に陰りが見え始めている。... 背景には限りある地球の資源や、深刻化する温暖化問題がある。... メーカーの責任範囲が明確化しないと、商用化は難...

たとえば少子高齢化や医療、環境の問題はITだけで解決できない。... 微細化が進むにつれ開発費が膨大に増え、投資回収できる数でないと対応できない。... マイコンやメモリーを研究し、半導体全般の低消費...

薄型テレビや音響・映像(AV)機器、プリンターなどで信号処理を行うICに対し、主電源からの電力供給を安定化する。... また、アナログICでは最先端の0・35マイクロメートルの微細化プ...

微細化しても経済性が上がらなければ仕方ない。微細化でいくのか、3次元構造に切り替えるのかなどの選択肢はあり、余力のあるメーカーしか次世代に進めない。... 回路線幅40ナノメートル品の生産が立ち上がり...

微細化により一枚のウエハーから取れるチップ数を増やす。... 半導体部門はNANDフラッシュの価格上昇や微細化の進展で、7―9月期に6四半期ぶりに黒字化。

浸硫窒化処理後に物性を分子レベルで整えるクライオ処理を施し金属表面の平滑性が増したことで、耐摩耗性を高めることに成功した。... 新製法では潤滑性表面硬化法である浸硫窒化処理とクライオ処理を組み合わせ...

DRAMは回路線幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)世代で技術的に微細化の限界が訪れるとされ、エルピーダは代替としてPRAMに焦点を当てていた。... 10年3月期の黒字化も確定的...

厚さ30マイクロメートルのチップ薄厚化技術や積層技術を適用し、業界で初めて32ギガビットNANDチップ16枚とコントローラチップ1枚の計17枚の積層に成功した。 ... 微細化でコスト競争力を...

LSIは20ナノメートル世代まで微細化が進むと、従来のバルクCMOS技術を使うことは物理的に難しいとされていた。

東芝は22ナノメートル(ナノは10億分の1)世代以降の微細トランジスタの性能を正確に測る手法を開発した。... トランジスタの微細化で、間接的に性能を予測する従来の評価法は実性能との誤...