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ロームは、耐圧1200ボルトで電流容量180アンぺアの炭化ケイ素(SiC)製パワーモジュールを量産すると12日発表した。

同7025は材料の炭化タングステンの粒度とコバルトの配合を見直し、刃先の塑性変形や欠損に対する耐久性を高めた。

【京都】大阪大学と京都大学、ローム、東京エレクトロンの研究グループは、高誘電率ゲート絶縁膜を採用した炭化ケイ素(SiC)パワー酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET&#...

万一、火に触れても溶融せず炭化する難燃性素材で、酸やアルカリなどの飛散に対しても耐性を持つ。

今回の研究では、まずn型炭化シリコン(SiC)上に厚さ5ナノメートルの結晶化シリコンと厚さ2ナノメートルのSiCを重ねる。

炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)ウエハーなどパワー半導体の反りの測定向け。

▽共立合金製作所=合金焼結技術、精密加工技術、流体工学技術▽ピカソ美化学研究所=美容効果が高く、安全安心な化粧品の開発▽六甲電子=シリコン・サファイア・炭化ケイ素ウエハーの研削...

炭化タングステンやセラミックスなどで成形する切削工具や自動車・電子部品向け。

太田精器は国内初の炭化タングステン100%超硬素材の量産体制を整え、12年1月にサンプル提供を始めた。... 同素材は超々微粒炭化タングステン粉末を結合材を混ぜずに放電プラズマ焼結させる。.....

切削加工用インサート(刃先交換チップ)では、タングステンを使う超硬合金から代替炭化チタンや窒化チタンなどを主成分とする金属との複合材料(サーメット)に置き換える。

松波弘之京都大学名誉教授がSiC(炭化ケイ素)の開発経験を踏まえ産学連携のあり方を講演。

【京都】サムコは27日、炭化ケイ素(SiC)を材料とするパワー半導体用のドライエッチング装置「RIE―600iP」を12月1日に発売すると発表した。

一般的な活性炭製造装置は原料炭化装置と賦活装置に分かれるが、同社のものは両装置を一体化した構造。炭化時に発生するガスを賦活処理時の燃料として再利用するため、燃料費を低減できる。

炭化ケイ素(SiC)パワー半導体を採用したインバーター装置(写真)、全閉形誘導電動機を開発。

【北九州】高田工業所は15日、炭化ケイ素(SiC)基板などの難切材を高速切断する超音波ダイシング(切削)装置「CSX―400シリーズ」を開発、12月から発売すると発表し...

産業技術総合研究所の計測フロンティア研究部門の大久保雅隆研究部門長らは、高エネルギー加速器研究機構の物質構造科学研究所などと共同で、炭化ケイ素(SiC)半導体をつくるのに必要な窒素微量...

川崎重工業は5日、長崎県西海市から、一般廃棄物を炭化燃料に加工する施設の建設・運営を、Jパワーと共同受注したと発表した。

従来の物理気相成長(PVD)法や化学気相成長(CVD)法、バナジウム炭化物の被膜を形成するTD法に比べて処理費は半分以下に抑えられる。

三菱電機は29日、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールを搭載した数値制御(NC)装置用ドライブユニットを12月3日に発売すると発表した。

京都大学大学院工学研究科電子工学専攻の須田淳准教授と木本恒暢教授らの研究グループは23日、炭化ケイ素(SiC)半導体を用いて2万ボルトの電圧に耐えるトランジスタの作製に成功したと発表し...

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