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記事検索結果
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金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバー、制御ICをワンパッケージ化した。MOSFETには、低オン抵抗で高耐圧を実現した独自構造「プレストモス」を採用した...
ネツレンは炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を使用した高周波誘導加熱電源(写真)を開発した。
この光を光電素子で受け所定電圧まで高めて、出力側のスイッチング素子の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を導通する。
新機種は金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のオン抵抗のように、大きな電圧波形の中の小さな変化を測定するのに適している。
SiCのMOSFETはプレーナー(平面)構造しか量産されておらず、トレンチ構造は業界初。... 同社は2010年にプレーナー構造で、SiCのMOSFETを業界で初めて量産。現在は2世代...
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバーによるモジュール「BM65364S―VA/VC=写真」で定格電流15アンぺア、耐圧600ボルト。...
同ICの投入で、SiC・MOSFETの電源での採用を加速したい考え。 同社では産業用に交流400ボルト前後の電圧を使う欧州など向けで、SiC・MOSFETの高耐圧という特性が生かせる...
駆動には、電界効果トランジスタの一種であるMOSFETを4個使って1チャンネルのHブリッジ回路を作り、一つの機構ごとに1チャンネルのICを搭載しなければならなかった。NJW4814はMOSFETを8個...
トランジスタに深い溝を掘るディープトレンチ型で高効率を実現した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の製品ラインアップがそろいつつあり、「13年後半から販売が伸びてきた」...
さらに同じ年にMOSFETの量産も始め、今ではSiC半導体の外販メーカーとしては大手の一角を占めている。MOSFETでは、さらにオン抵抗を低減できるトレンチ型の量産も15年前半には業界の先頭を切って始...
薄膜BOX構造の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(SOTB―MOSFET)は、集積回路の動作電圧を低減して消費電力を下げるトランジスタ構造。... 広島大は産総研と共同で、SOTB...
また、ロームはSiC採用の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、素子の縦方向にゲートを構成する「トレンチ型」の製品の量産を15年前半に始める。
同社は世界で初めてSiCでMOSFETの量産を始めた。... 3世代目にあたるMOSFETはこのオン抵抗を、さらに数分の1に低減できるトレンチ型を採用。... トレンチ型MOSFETは、素子に縦方向の...
産業技術総合研究所は、次世代の省電力デバイスとして有望なトンネルトランジスタ(トンネルFET)が、従来の電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べて10万倍以上長寿命で...
現状、同ラインでは一部の白物家電向けと産業機器向けのパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を生産している。
充放電の制御には、外部から一定の電圧がかかると、スイッチをオンにするNチャンネル型の金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用。
京都大学大学院工学研究科の白石誠司教授、安藤裕一郎助教らの研究グループは8日、TDK、秋田県産業技術センター(秋田市)と共同でシリコンを用いたスピントランジスタ(MOSFET&...
