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記事検索結果
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材料の窒化ガリウムに40歳で出会い、p型半導体の実現は難しいと周囲にどれほどいわれても「好きなことをやればよい」「我ひとり荒れ野を行く」と初志を貫いた。
トランジスタ構造を微細なフィン型に改良して、実用レベルに迫るスイッチング特性を実現し、ゲルマニウムトランジスタがCMOS回路を積層するデバイスとして適していることを確認した。... 鎌田善己連携研究体...
産業技術総合研究所は住友化学と共同で、LSIの低消費電力化に寄与する、ゲルマニウムとインジウム・ガリウム・ヒ素を使った相補型金属酸化膜半導体(CMOS)インバーターを開発し、動作を実証...
3次元ナノESCA装置は物質の3次元方向の電子・化学状態を解析する走査型光電子顕微鏡。... この装置を使ってグラフェンFETのニッケル電極とグラフェン単層膜との界面を詳細に調べたところ、グラフェンか...
提供するGaNテンプレートはサファイア基板上に厚さ10マイクロメートル(1マイクロは100分の1)のn型GaNバッファー層を成長させた構造で、高結晶性と高い表面品質を持つ。従来、白色L...
大阪大学大学院基礎工学研究科の白石誠司教授と仕幸英治特任准教授らの研究グループは13日、東北大学金属材料研究所と共同で、p型シリコン中での室温スピン輸送に成功したと発表した。... これにより、すでに...
鵜殿教授の研究室では2006年にn型層で低電子濃度のMg2Si合成に成功している。今回、この結晶基板上にp型層を熱拡散法で作製することで、Mg2Siのpn接合ダイオードを作製した。
同社は05年に「mieruka」のベースとなるミドルウエア「SOBAフレームワーク」を技術の核にしたP2P型ウェブ会議システム事業で設立した。... 世界に先駆けたフレームワーク型テレビ会議基幹システ...
同社は05年に「mieruka」のベースとなるミドルウエア「SOBAフレームワーク」を技術の核にしたP2P型ウェブ会議システム事業で設立した。... 世界に先駆けたフレームワーク型テレビ会議基幹システ...
今回の研究では、まずn型炭化シリコン(SiC)上に厚さ5ナノメートルの結晶化シリコンと厚さ2ナノメートルのSiCを重ねる。... この構造をn型およびp型SiC層で挟み、新たな計算手法...
【富山】スギノマシン(富山県魚津市、杉野太加良社長、0765・24・5111)は、気泡を含むジェット噴流で洗浄力を高めた部品洗浄機「ジェットストームウォッシャー(P型)...
光電変換層のn型半導体には純度の高いフラーレン化合物を用いた。p型半導体は独自に開発した高分子材料を用いたが、材料の詳細は明らかにしていない。 ... 薄型や軽量であることを生かして...
無機半導体ではn型とp型を制御する技術を高密度集積回路(LSI)設計などに応用している。... 有機半導体ではn型とp型の制御技術が未確立で、n型とp型の特性の違いを利用した設計が難し...
分子科学研究所の平本昌宏教授らの研究チームは、有機半導体のフタロシアニンに、不純物をドープして自在にn型やp型にすることに成功した。p型とn型のフタロシアニンで、有機太陽電池を試作することにも成功した...
