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パワー半導体『新たな地平』(4)富士電機−SiC次世代製品カギ（2015/2/4）

高耐久・大電流対応の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を主力に、特に産業機器市場での拡販に成功した。... 宝泉徹電子デバイス事業本部事業統括部長は「IGBTの性能と、サービ...

ローム、子会社の休止ライン再開−半導体前工程、業績回復で稼働率上昇（2015/2/3）

ラピスでは、もう一つの生産拠点であるラピスセミコンダクタ宮崎(宮崎市)でも、パワー半導体である絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の生産増強に取り組んでいる。&...

パワー半導体『新たな地平』(2)ローム−車載視野にSiC市場育成（2015/1/14）

後発となるシリコンIGBTを加えても、高耐圧系パワーデバイスの売上高は50億―60億円程度。... そのためIGBTでも順次ラインアップを拡充しており、「15年内には一通りはそろえる」(同&#...

パワー半導体『新たな地平』(1)三菱電機−高付加価値路線で先陣（2015/1/7）

高耐圧のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールでは、独インフィニオン・テクノロジーズと世界シェア首位を争う。今後の成長に向けIGBTモジュールの一層の高機能化に取り組み...

三菱電機、16年度めどパワー半導体後工程の一部を中国に移管（2014/12/30）

製品面ではIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールなど高付加価値品で差別化していく。

パワー半導体「新たな地平」−“日の丸”、最後の砦死守へ（2015/1/1）

東京大学がシリコンとIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を採用したパワー半導体を技術開発する。

ローム、トレンチ型パワー半導体を来年から量産（2014/12/23）

SiC製MOSFETは、プレーナ型でもシリコン製IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)と比べてオン抵抗を半減できるが、トレンチ型によってさらに数分の1に低減できる。

三菱電、パワー半導体にSiC−PVシステム向け（2014/11/21）

トランジスタ部には同社の先端の第7世代IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を搭載した。

独インフィニオン・テクノ、”不良ゼロ”で日本深耕（2014/10/29）

年内には高電圧・大電流を制御できるIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)と呼ぶ製品の量産も開始。

独インフィニオン、産業・車載機器向け半導体で日本市場開拓（2014/9/26）

年内には高電圧・大電流を制御できる「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)」と呼ぶ製品の量産も開始。

基盤技術で勝ち抜く(101)豊光社−パワー半導体、非破壊検査（2014/8/29）

だが、汎用インバーターなどで一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)などの高機能パワーデバイスは、電気自動車(EV)や風力発電、鉄道など各種産業分野に応用さ...

北九州学研都市・産学連携事例PART2(5)豊光社（2014/8/6）

だが、汎用インバーターなどで一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)などの高機能パワーデバイスは、次世代自動車や発電、鉄道など産業分野への利用が進む。

ロームの4―6月期、営業益5倍（2014/8/4）

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)が自動車向けで新規採用されるなど、今後の事業拡大が期待できる。

三菱電機、EV用パワー半導体に新製品（2014/7/23）

独自構造のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の搭載や、冷却フィン一体の直接水冷構造の採用により、インバーターを低消費電力化できるようにした。

東芝、汎用インバーター向けパワー半導体モジュール事業に再参入（2014/7/22）

その後、汎用インバーター分野では一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールを投入。

地産地消・進む現地調達/富士電機−中国などで安定供給（2014/7/16）

インバーターなどに組み込む絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の後工程の生産を始めた。... マレーシアでは産業向けIGBTの前工程と後工程を一貫して行っているが、14年度中に...

三菱電、電力損失10%減のインバーター駆動用半導体を今秋発売（2014/7/2）

第6世代の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)機能を搭載しており、エアコン駆動時などでの消費電力を抑えた。

FJコンポジット、北海道に半導体用放熱材の新工場−月内着工（2014/6/6）

また、15年4月にはパワー半導体(IGBT)に使用されるセラミックス絶縁回路基板(DBC)の月産10万枚体制を整える。

岩通計測、欧米で計測器拡販−国際展示会に年4回出展（2014/4/18）

半導体カーブトレーサーの主要測定対象のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)は日本企業が世界をリードし、米国と欧州にも大手企業がある。

ローム、パワー半導体を拡充−専門部署新設（2014/3/14）

ロームのパワー半導体事業はこれまで、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)、インテリジェントパワーモジュール(IPM&...

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