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記事検索結果
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炭化ケイ素(SiC)の基板上にグラフェンを作り込む場合、基板表面にナノレベルの段差があると電子密度が均一ではなく、バラつきが生じることになる。
省エネルギー性能に優れ、現行のシリコンに代わる次世代技術として注目されるのが、炭化ケイ素(SiC)によるパワー半導体。
ベンゼン環に炭化水素などが付いた「アルキルアレーン」を原料に、アミド化合物の窒素原子の元になるアンモニアと、酸化剤として酸素を供給すると、アミド化合物が直接合成できる。
このほど11年までほとんど実績がなかったLED用サファイア基板やパワー半導体用炭化ケイ素(SiC)基板の原料となる結晶生産溶融炉向けの導入が決定。
特に海外においては同業他社との協業も視野に入れながら販路を拡大し、新規開拓を進めていく」 ―炭化ケイ素(SiC)を採用した製品の開発状況は。
自動車用金型や鉄鋼部品などの被加工品を浸し、被加工金属が含む炭素とバナジウムやニオブなどの化学反応に伴う拡散浸透で炭化物被膜を形成する。
▽小松俊男社長は取締役相談役に▽交代理由=若返り▽就任日=6月29日▽本社=東京都中央区日本橋2の2の6(炭化ケイ素の製造販売)
シリコン基板上に窒化ガリなどを形成した構造で、従来の炭化ケイ素の基板上に窒化ガリをつくりこんだチップに比べコストを約30分の1と大幅に安くした。... こうした増幅器はコストの安いシリコンだけでつくる...
住金の耐熱用ステンレス「NAR―AH―4」を母材に、ハンダ槽表面にパルス放電で炭化タングステンとハフニウムの被膜を形成して耐腐食性を高めた。... ハンダ槽は使用開始から6カ月以内であれば被膜をいった...
