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記事検索結果
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また完全空乏型絶縁膜上シリコン(FD―SOI)技術を適用した先端CMOSは「現在の回路線幅28ナノメートルから同14ナノメートル、さらに同10ナノメートルまで微細化を推し進める」...
コーセルは、非絶縁型DC―DCコンバーター「BRシリーズ=写真」と、モジュール電源「CHS400」を4月に発売する。
直径約1ナノメートルの半導体カーボンナノチューブ(CNT)の中に、同0・6ナノメートルのホウ素と窒素でできた絶縁体チューブ(BNNT)が入った2層構造。... 絶縁体ナ...
コーティングにより絶縁性の付加に加え、耐食性なども向上できる。... SiCには絶縁性のほか、一層の耐酸化性、耐反応性などが求められている。
【横浜】計測技術研究所(横浜市都筑区、田中忠雄社長、045・948・0211)と池野通建(東京都大田区、渡辺和文社長、03・6275・9910)は、ヘルメットの絶縁性能...
日本では三菱電機が絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールで高シェアを誇るほか、ロームが次世代品とされる炭化ケイ素(SiC)製の製品開発を加速している。
しかしモジュールに採用する絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の既存製品は、逆方向に電圧をかけると壊れる可能性がある。
表面にゲート電極、絶縁膜を形成後、凸の側面に大気中で安定で半導体特性に優れたジナフトチエノチオフェン(DNTT)を蒸着し、有機半導体のチャネル層を形成。
当初、同研究所に提供していた層間絶縁膜を作る材料をナノインプリントの材料に転用した技術で、同研究所が新しい方法を見つけた。
京セラケミカル(埼玉県川口市、澤井和弘社長、048・225・6834)は、電子部品を絶縁封止する新たな成形システムを考案した。... 絶縁処理で通常用いるケースの代わりに金型を使うため...
【新潟】ナミックス(新潟市北区、小田嶋寿信社長、025・258・5577)は、台湾・苗栗市の銅鑼(トンロウ)サイエンスパークに約35億円を投じ、絶縁材など電子部品材料の...
