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記事検索結果
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回路線幅7ナノ―5ナノメートル(ナノは10億分の1)の最先端半導体は製造の難易度が高く、大きなチップは歩留まりが悪い。... これまで半導体の進化は回路微細化を支える前工程が主役だった...
調査会社の富士経済(東京都中央区)によると、半導体に回路パターンを焼き付ける露光工程で使うフォトレジスト市場は、2026年に20年実績から5割超拡大する見通しだ。 ....
イメージセンサーや自動車に使う回路線幅10ナノ―20ナノメートル(ナノは10億分の1)台のロジック半導体などを生産する見込みだ。
【高純度処理】 半導体の回路線幅の微細化には、等方性黒鉛に含まれる金属不純物を5ppm(ppmは100万分の1)以下にする「高純度処理」の能力増強で対応。
高性能パソコンなど向けで半導体の回路線幅の微細化、複雑化が進んでいることに伴い、特にSoC(システムオンチップ)向けのテスター(半導体試験装置)需要が伸びている。...
【つくばに拠点】 半導体製造はウエハーに回路を形成する「前工程」と、ウエハーからチップを切り出して製品化する「後工程」に大別される。... 半導体はこれまで、回路線幅を細くすることで...
8インチのウエハーで現在よりも微細回路を形成できるようにする。現在は回路線幅0・35マイクロメートル(マイクロは100万分の1)だが、新設備が立ち上がれば0・18マイクロメートルにも対...
ルテニウムは線幅3ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の超微細回路の欠損を抑えられ、半導体の性能向上に役立つ。... 回路線幅3ナノメートル程度まで微細化し、回路間の距離が近づくと、...
NILは量産利用までに課題が多いものの、最先端の回路線幅が形成できている。... NILは型をウエハーに押しつけて微細な回路パターンを形成する。大日本印刷によれば、NILは技術開発用で回路線幅5ナノメ...
最先端の極端紫外線(EUV)を用いた半導体製造プロセス向けで、ウエハーに回路図を焼き付ける時の原版(フォトマスク)の母材市場に新規参入。... 顧客がブランクス上に回路...
半導体回路の微細化に欠かせない「極端紫外線(EUV)露光」への期待感が高まっている。... (張谷京子) ペリクルはフォトマスク(半導体回路の...
半導体は5ナノメートル(ナノは10億分の1)や3ナノメートルへと回路線幅の微細化が進む。
同研究所は、回路線幅3ナノメートル(ナノは10億分の1)以下を目指す蘭ASMLの極端紫外線(EUV)露光装置を2023年に稼働予定。... ただ、最先端半導体の回路線幅...
魏CEOはまた、同州の工場で2024年までに回路線幅5ナノメートル(ナノは10億分の1)の先端半導体を量産する計画をあらためて示した。
回路線幅7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の最先端半導体の需要拡大に伴い、EUVペリクルも需要増加が期待されている。
自動車や産業機械、家電などに使う回路線幅20ナノ―40ナノメートル(ナノは10億分の1)のミドルエンド品を生産するもよう。線幅40ナノメートル未満の工場は国内で初めてとなる。
この際は回路微細化など技術進展に伴う約4年周期の需要変動、シリコンサイクルがあった。... 日本が得意な回路線幅40ナノ―50ナノメートルのロジック系を開発しつつ、同3ナノ―4ナノメートルの最先端半導...
半導体の回路微細化に対応するには、材料に一層の高純度化が求められる。... EUVで作製する半導体の回路線幅は数ナノメートル(ナノは10億分の1)で、わずかな不純物が影響する。... ...
回路線幅が7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の製品を生産し、2024年から稼働を始める計画だ。 ... レーザーテックは、光源にEUVを使ったEUV露光用フォト...
