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記事検索結果
152件中、7ページ目 121〜140件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.004秒)
JSRは20日、米国半導体製造技術組合のSEMATECHと共同で、化学増幅型の感光性材料(フォトレジスト)を使って極端紫外線(EUV)露光し、線幅15ナノメートル...
中長期的に半導体メーカーの微細化の焦点となるのがEUV露光。... EUVは波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)で、フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザーを...
特に露光光源に極端紫外線(EUV)光源を使う最新リソグラフィー技術用素材などが注目されている。... これを実現する露光技術がEUVで、現在主流になっているフッ化アルゴン(Ar...
ニコンは光源に極端紫外線(EUV)を使った半導体露光装置の市場投入が早くても2015年以降になることを明らかにした。... EUV露光装置は回路線幅16ナノメートル(ナノは10...
次世代の半導体微細化技術と位置付けられている極端紫外線(EUV)光源を用いた露光技術だが、導入を検討する半導体メーカーは限られる。... このため実際にEUV露光装置を持つ、米国の半導...
ただ次世代光源である極端紫外線(EUV)の技術はいまだに確立されていないため、フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー光源を使った液浸露光技術を回路線幅32ナノメートル...
JSRは18日、米国の半導体製造技術研究組合であるSEMATECH(セマテック)が行っている極端紫外線(EUV)リソグラフィー技術の開発プログラムに参加したと発表した。...
ニコンは17日、都内で露光装置に関する説明会を開き、回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の最先端半導体製造ラインに採用されるフッ化アルゴンエキシマレーザー(ArF...
マスクパターンを改良して露光技術の精度を約20%向上、20ナノメートル(ナノは10億分の1)世代以降のLSIに対応する。同装置は従来、30ナノメートル世代の対応まで改良が進んで...
【横浜】神奈川大学の西久保忠臣教授はEUV(極端紫外線)露光装置向けの低分子フォトレジストを完成、22ナノメートル(ナノは10億分の1)の回路パターンを作成することに成...
東芝は次世代EUV(極端紫外線)露光装置向けの低分子フォトレジストを開発した。... 従来開発済みだったポジ型に加えて、より高解像度に向いたEUV世代対応のネガ型レジストを開発した。&...
世界に先駆けて光源に極紫外線(EUV)を使う先端露光装置を実用化し、競合のニコンに対する優位を明確にする戦略だ。... IMECはEUV露光技術の研究を急加速しており、先端クリーンルー...
オランダのASMLは、光源に極紫外線(EUV)を使う次世代の半導体露光装置を2010年に出荷する。... EUVをArF液浸装置に次ぐビジネスの大きな柱に育てていくつもりだ」 ...
ニコンは次世代半導体製造に利用する極端紫外線(EUV)光源の露光装置の開発を見直す。... 線幅22ナノメートル以降でEUV露光装置を見据えている。 ... EUV露光装置は真...
半導体先端テクノロジーズ(セリート、茨城県つくば市、渡辺久恒社長、029・849・1300)は、極端紫外線(EUV)露光技術で、2013年以降の回路線幅22ナノメートル...
新たに露光光源に極端紫外線(EUV)を用いるEUV露光の利用が提案されている。 EUV露光では投影レンズを用いた従来方式から反射鏡を用いた新方式に変わるため、装置構造を抜本的に...
半導体製造装置に用い、ハーフピッチ22ナノメートルを可能とする極端紫外線(EUV)露光装置用マスクブランクスの商業化を加速化させ、2013年ころの実用化を目指す。両社で欠陥のないEUV...
半導体露光は回路を一段と微細化することを狙い、光源をレーザー光から極端紫外線(EUV)に替える研究開発が進んでいる。 ... だが、このEUV露光は克服すべき技術課題が多い。....
ダブルパターニングを1世代先まで利用する技術を確立し、EUV露光装置の開発計画を補完する。 ... 露光装置業界のロードマップでは同22ナノメートル半導体の製造プロセスにおける露光工程にはEU...
半導体露光装置メーカーが2010年をめどに、光源に極端紫外線(EUV)を採用したEUV露光装置を相次いで市場投入する。... EUV露光は、回路線幅20ナノメートル(ナノは10...
