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記事検索結果
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双方のMOSFETにおけるドレイン電流のオンオフ比は3ケタ以上と高く、消費電力も低減した。各MOSFETに形成したバックゲート電圧を変化させることで、しきい値電圧も制御できる。
従来のシリコントンネルFETは、現在のLSIに使われているMOSFETに比べて、100分の1―1000分の1程度の駆動電流しか得られていなかった。
45ボルト耐圧で1・75アンぺアのパワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)、位相補償回路を内蔵しており、外付け部品を7点に抑えた。
同パッケージ技術は、高速スイッチングを特徴とする金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)にも応用。
インバーター回路のスイッチング素子などには、SiC金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した。
アナログ・デジタル信号処理とパワー制御を1チップに形成する「BiC−DMOS」プロセスを採用し、金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)のオン抵抗を低減することでICの発熱を抑え...
これを機に、応用先を照明などの家電製品から、金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)や車載用電子部品の基板といった産業用途に広げる。
完成した「BD9428=写真」は、LEDの駆動を制御する金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)の耐圧を80ボルト(従来は60ボルト)、最大電流を250ミ...
SJ―MOSFET(スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を搭載し、低電流域のオン電圧を自社の従来製品比で66%低減しており、エアコンのエネルギー消費効率...
通電時の電気抵抗(オン抵抗)が低いスーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(SJ―MOSFET)採用。... 今回搭載したSJ―MOSFETは650ボ...
現行の電界効果トランジスタ(MOSFET)の限界を超える低電圧でオン・オフの切り替えができるため、低消費電力化につながると期待されている。しかし、MOSFETに比べて流れる電流が小さい...
【横浜】筑波大学の大毛利健治准教授は、ディー・クルー・テクノロジーズ(横浜市港北区、石川明彦社長、045・470・0533)と東京工業大学とともに、金属酸化膜電界効果トランジスタ...
従来は1種類だったMOSFETのゲート電極の材料を2種類とし、それぞれナノメートル寸法(ナノは10億分の1)で制御、加工した。... シミュレーション結果によると、MOSFETの性能を...
ゲルマニウムのpMOSFETの直上にインジウム・ガリウム・ヒ素のnMOSFETを形成することによって、p型とn型のMOSFETを横に並べるこれまでの作製方式に比べて回路面積も縮小した。... インジウ...
実用化の技術は難しく、技術部門に問い合わせる日が続いたが、ようやく「パワー半導体のMOSFETやラジエーターで実現できた」。
スーパージャンクション金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(SJ―MOSFET)と絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)のデバイス構造を融合させた。... 通常主...
スイッチング素子に金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用し、低電流領域のオン電圧を従来製品に比べて6割低減。
