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記事検索結果
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IGBTに代表されるパワー半導体で、セラミックス基板上に銅回路板を直接接合したDBC基板に活用した場合、コストを約3割低減。
パワー半導体は炭化ケイ素(SiC)、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)、インテリジェント・パワー・モジュール(IPM)を持ち、これらを一体提...
提案するのは絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、電界効果トランジスタ(MOS―FET)の半導体インバーター式電源装置。... 富士電子の装置は入力電力に対する...
IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の並列動作に対応し、産業用インバーターなどに搭載して高電圧・大電流を制御する。... 開発したIGBTゲートドライバーボードは、1200―...
最新のIGBT(電力スイッチング半導体)モジュールを採用し、電力変換効率は従来機の97・7%から98・4%に向上した。
技術力のある高耐圧IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)など限られた領域でなら勝負できる。... 高耐圧IGBTは、省エネニーズの高い鉄道車両向けで海外顧客を開拓する。... ...
パワー半導体はダイオードにシリコン、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)にSiCを使った「ハイブリッド型」。
先進パワーエレクトロニクス研究センターの福田憲司総括研究主幹、米澤喜幸超高耐圧デバイスチーム長らは、SiC半導体を使って独自構造の絶縁ゲートバイポーラ・トランジスタ(IGBT)を開発し...
今後、事業面では自動車、産業向けIGBT(電力スイッチング半導体)に力を入れる。このほど国内大手自動車メーカーのプラグインハイブリッド車向けにIGBTモジュールが初めて採用された。
バイポーラ・トランジスタに比べ、使用素子を減らせるため故障しにくい絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ(IGBT)を採用した。
独自開発した最先端の第7世代絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を初めて搭載し、白物家電向けでは業界トップクラスの低消費電力を実現した。 ... 第7世代IG...
現在の生産体制は日立の臨海工場(茨城県日立市)で高圧IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を、原町電子の原町工場(福島県南相馬市)でトランジスタ関...
開発したのはシリコン―IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールで、架線から供給される直流電圧をモーター駆動用の交流電圧に変換するためのインバーターなどに搭載する。 ...
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を6素子搭載し小型化を実現しており、2素子搭載の従来製品を三つ使用した場合と比べ実装面積で、約80%に縮小できるという。 &...
SJ―MOSFETのウエハー裏面にIGBTを形成することで、瞬間的な大電流にも対応した。 これまで定格保証域の限界からIGBTを採用してきた機器での置き換えを狙う。低電流域での損失は...
