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記事検索結果
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【京都】大日本スクリーン製造は、半導体ウエハー上に作成した回路パターンの欠陥を検出する外観検査装置に参入する。パワー半導体や発光ダイオード(LED)など「グリーンデバイス」と呼ぶ環境配...
名古屋大学の藤巻朗教授らは次世代スーパーコンピューター向けに、既存の半導体回路に比べて計算速度を飛躍的に高められる超電導の演算回路を開発した。... 将来、スパコンに搭載すれば半導体回路を使う場合に比...
標準的な暗号アルゴリズムである「AES暗号」を、書き換え可能な半導体回路のFPGA上に実装して暗号評価ボードを構成した。... ネットワークを介して遠隔地から回路に機能を加えたり、故障を修復したりでき...
JSRは18日、米国の半導体製造技術研究組合であるSEMATECH(セマテック)が行っている極端紫外線(EUV)リソグラフィー技術の開発プログラムに参加したと発表した。...
半導体回路設計研究の第一人者。... 「設計した回路が思い描いた性能で動作した時の喜びは最高」と至福の時を振り返る。 ... 半導体は微細化技術の進展で、設計技術のハードルは高い。
大日本印刷は1日、米モレキュラーインプリントと回路線幅22ナノメートル(ナノは10億分の1)以降の次世代半導体製造技術として有望なナノインプリントリソグラフィ技術の実用化に必要な、テン...
微細化要求が高まる半導体回路。シリコン基板に回路パターンを転写する際、感光性材料であるフォトレジストを使う。... 【次世代まで適用】 07年にはメモリーや超小型演算処理装置(MPU&...
米アプライド マテリアルズ(カリフォルニア州)とディスコは2日、積層した半導体回路を接続するシリコン貫通ビア(TSV)の製造に向けたウエハー薄化技術の開発で協力...
三菱電線工業は東芝マテリアル(横浜市磯子区)と共同で、絶縁材料を2マイクロメートルの厚さで被膜した半導体ウエハー検査用プローブピン(探針)を開発した。半導体回路線幅の微...
半導体メーカーが2013年の実用化を目指し、チップ上の回路線幅に22ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した半導体の開発に着手する。... しかし、半導体回路を32ナノメー...
最新鋭の大きな半導体装置の前に、小さなルーペが置いてあるではないか。... 蒸着法、スパッタ法、CVD法などがあり、半導体回路素子を作製するために重要な技術。
半導体メーカーは09年中に回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)プロセスを採用した次世代半導体の実用化に乗り出す。... 半導体回路は線幅45ナノメートルから次世代の同32ナノ...
三菱電機は25日、ミリ波通信の送受信器に必要な半導体回路をすべて組み込んだガリウムヒ素製のチップセットを開発したと発表した。... 単一チップ上に形成したミリ波送受信モジュール搭載用集積回路(...
半導体回路の微細化などの基礎研究に関する論文が多いのも特徴だ。 半導体回路は「2年でトランジスタの集積度が倍になる」とするムーアの法則に沿って微細化が進展。... 半導体は現在、量産ベースでは...
半導体の回路がナノメートル単位にまで微細化すると、回路を焼き付ける露光光源の波長の方が回路線幅より太くなり、対応できない。... 目に見えないほどのちりが数個ウエハー上に付着すると、半導体回路は機能し...
半導体業界では2010年ごろに、40ナノメートル世代から一世代進んだ同30ナノメートル台の次世代プロセスの実用化を見込んでいる。 同30ナノメートル世代では、半導体回路をウエハーに焼き付ける露...
半導体露光装置メーカーが2010年をめどに、光源に極端紫外線(EUV)を採用したEUV露光装置を相次いで市場投入する。... EUV露光は、回路線幅20ナノメートル(ナノは10...
半導体露光装置メーカーは回路線幅32ナノメートル(ナノは10億分の1)の次世代半導体製造に用いる最先端装置を09年から市場投入する。... ダブルパターニングは、半導体回路をウエハーに...