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記事検索結果
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現在、デオキシリボ核酸(DNA)解析などに使われているイオン感応性電界効果トランジスタの100倍の感度という。
東京大学の尾嶋正治名誉教授らは、物質・材料研究機構の永村直佳研究員、東大の竹谷純一教授らと共同で、有機電界効果トランジスタ(FET)を動作させながら、その内部の電子状態をナノメートルレ...
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバー、制御ICをワンパッケージ化した。
ネツレンは炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を使用した高周波誘導加熱電源(写真)を開発した。
この光を光電素子で受け所定電圧まで高めて、出力側のスイッチング素子の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を導通する。
新機種は金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のオン抵抗のように、大きな電圧波形の中の小さな変化を測定するのに適している。
【京都】ロームは炭化ケイ素(SiC)でトレンチ(溝)構造のパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を6月に開始する。... パワ...
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とゲートドライバーによるモジュール「BM65364S―VA/VC=写真」で定格電流15アンぺア、耐圧600ボルト。...
炭化ケイ素(SiC)による金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の制御、駆動に特化したもので、2016年春ごろまでに量産。
駆動には、電界効果トランジスタの一種であるMOSFETを4個使って1チャンネルのHブリッジ回路を作り、一つの機構ごとに1チャンネルのICを搭載しなければならなかった。
光に応答する有機分子を組み込んだ電界効果トランジスタを超電導物質を使って作った。... 超電導物質を使った電界効果トランジスタは、高性能かつ省エネルギーな究極のデバイス。... 今回使った有機物質だけ...
トランジスタに深い溝を掘るディープトレンチ型で高効率を実現した金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の製品ラインアップがそろいつつあり、「13年後半から販売が伸びてきた」...
高耐久・大電流対応の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を主力に、特に産業機器市場での拡販に成功した。... 15年度も第7世代IGBTや金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...
業界に先駆け炭化ケイ素(SiC)半導体の量産を始めたロームだが、従来のシリコンでも絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&#...
広島大学HiSIM研究センターは、国際標準に選定されたトランジスタのコンパクトモデル「HiSIM―SOTB(広島大学STARC IGFETモデル―シリコン オン スィン...
また、ロームはSiC採用の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、素子の縦方向にゲートを構成する「トレンチ型」の製品の量産を15年前半に始める。... 課題解決には、量...
【京都】ロームは2015年前半に、スイッチング時の電流損失などをシリコン製と比べ数分の1に低減できる「トレンチ型」のパワー半導体、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジス...
