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記事検索結果
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「耐熱性と強度を高めることで、半導体などに使われる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)やスイッチの材料も提供できる」と確信する。
将来は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)など大容量品にも導入するとみられる。 IGBTはパワー半導体のなかでも特に成長が期待される製品。... IGBTでシ...
日本では三菱電機が絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールで高シェアを誇るほか、ロームが次世代品とされる炭化ケイ素(SiC)製の製品開発を加速している。
そこで同社独自のIGBTを開発した。... 新型のIGBTを使い、同型のモジュールを製品化しているメーカーはまだなく、現在は他社に外販もしている。 ... (編集委員・明豊&...
従来型発電機では電圧制御に大型の6個のトランジスタ(IGBT)を搭載しているが、新製品ではバイパス回路を用いることで小型の1個で済む。
ルネサスエレクトロニクスは、保護機能を内蔵した絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)駆動用フォトカプラ(写真)を開発した。... インバーターに搭載してモーターを...
EH5000は、エンジンで発電機を駆動し、発電機からの電力を絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT)インバーターで制御して走行用モーターを駆動する仕組み。
日昌の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュール筐(きょう)体のインサートモールド成形技術を応用した。
現在主流のシリコン製絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)と比べてスイッチング損失は85%減。100キロヘルツ以上の高周波で動作できるため、定格電流値が数倍のIGBTから...
EHシリーズは、エンジンで発電機を駆動し、発電機からの電力をIGBTインバータで制御して走行用モーター(AC)を駆動する。
大容量新素子の絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ(IGBT)を16個搭載し、2000キロワットを出力できる。
「絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT)は、ハイブリッド車(HV)などの環境対応車や洗濯機をはじめとする家電製品向けに需要が拡大している。
ルネサスエレクトロニクスは動作に必要な電圧を12―15%低減した第7世代の絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT=写真、一目盛りは1ミリメートル)を開発した。
パワー半導体をすべてSiCで構成した産業機器向けの「フルSiCモジュール=写真」の場合だと、従来の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールに比べて電力損失を約70...
インバーター(逆変換装置)の電力損失を低減できるとして、現在主流のシリコン(Si)製絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の置き換えを狙う。...
開発したインバーターは同社が開発した、SiCのダイオードとSiの絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ(IGBT)を組み合わせた、3・3キロボルトのSiCハイブリッドモジュールを採用。
