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記事検索結果
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セミクロンが開発したEVの主機インバーター向けパワーモジュール「eMPack」に、ロームの第4世代SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)が採用された。 &#...
ミネベアミツミは千歳事業所(北海道千歳市)のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の生産能力を口径150ミリメートル(6インチ)ウエハー換算で従来...
既存の酸化物半導体を用いたトランジスタは、大面積での製造が容易で低消費電力化が可能な一方、現在の中小型ディスプレーで主に用いられている低温ポリシリコン(LTPS)と比較すると移動度が低...
SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で、松本工場の既存の6インチウエハー用ラインで量産に乗り出す。
この微小電流を再現したトランジスタの電流をまずは積分回路で電圧に変換し、相関二重サンプリングでノイズを除去する。
ニューラルネットワークを用いるリザバー計算を強誘電体トランジスタの時間応答で再現する。酸化ハフニウムと酸化ジルコニウムの混晶薄膜を積層してトランジスタを作る。これは薄膜の分極によってトランジスタの電流...
保護ICは過充電や過放電を検出すると電界効果トランジスタ(FET)スイッチをオフにして電流を遮断し、バッテリーを故障や劣化から守る部品。
23年度に量産するデバイスはGaN電界効果トランジスタ(FET)とSi金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を組み合わせたスイッチング電源デバイス。
脱炭素社会の実現に向けて、電気自動車(EV)用をはじめ、高効率なパワー半導体の需要が一段と高まることを見据え、甲府工場に現存する建屋を有効活用して、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ&#...
電気の流れを制御可能な半導体によりトランジスタ集積回路が創出され、電子を用いた高度な信号処理やコンピューティングが可能となったのだ。
データセンターなどの電源システム向けに、600ボルト耐圧のGaN製高電子移動度トランジスタ(HEMT)を共同開発する。
UMC日本子会社の三重工場(三重県桑名市)内に、直径300ミリメートルウエハーの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の製造ラインを新設し、2023年上期に生産を...
三菱電機は、再生可能エネルギー向けの1500ボルト電力変換機器などに対応した、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュール(写真)...
我々のグループでは、(1)金属インク材料の開発から始まり、(2)インクを微細にパターニングする印刷技術、(3)メッキや接合といった周辺技術、および...
独インフィニオン・テクノロジーズは、1200ボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「Cool...
NTT物性科学基礎研究所の広木正伸主任研究員と谷保芳孝上席特別研究員らは、窒化アルミニウムの電界効果トランジスタを開発した。... 窒化アルミでのトランジスタ動作は世界初。... ...
原子鎖1本分のトランジスタなど、極小の電子デバイスを研究するモデル材料になる。 ... へテロ接合はトランジスタや太陽電池などの基本要素。
低消費電力が可能な相補型の構造を持つ接合型電界効果トランジスタ(JFET)を開発。... n型とp型のトランジスタを組み合わせた相補型回路は待機電力を抑えられるのが特徴だが、JFETで...
