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記事検索結果
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産業技術総合研究所は、次世代の省電力デバイスとして有望なトンネルトランジスタ(トンネルFET)が、従来の電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べて10万倍以上長寿命で...
日本の研究機関による最先端技術への注目度も高く、東京大学は低い消費電力で動く新型のトランジスタを開発。... 産業技術総合研究所はノイズを劇的に抑えた立体型のトランジスタを発表する。 ...
現状、同ラインでは一部の白物家電向けと産業機器向けのパワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を生産している。年内には高電圧・大電流を制御できるIGBT(絶縁ゲ...
充放電の制御には、外部から一定の電圧がかかると、スイッチをオンにするNチャンネル型の金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用。
まず、パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)モジュールを商品化。その後、汎用インバーター分野では一般的なIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)...
三菱電機は炭化ケイ素(SiC)をトランジスタ部とダイオード部の両方に採用し電力損失を抑えたパワー半導体を開発し、発売すると16日発表した。... SiC製の金属酸化膜半導体電界効果トラ...
産総研の前田辰郎ナノエレクトロニクス研究部門主任研究員らは、幅30ナノメートル(ナノは10億分の1)程度の細線のチャネル構造を絶縁膜上に形成した、インジウムガリウムヒ素のn型金属酸化膜...
産業技術総合研究所は、LSIを低消費電力化できるシリコン製のトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)の動作速度を10倍以上早める技術を開発した。... トランジスタの動作速度は駆...
45ボルト耐圧で1・75アンぺアのパワー金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)、位相補償回路を内蔵しており、外付け部品を7点に抑えた。
トランジスタは素子サイズを小さくすると、オン抵抗(動作時の抵抗)が大きくなる課題があった。このため超小型トランジスタでは耐圧20ボルトが限界だった。... 同パッケージ技術は、高速スイ...
インバーター回路のスイッチング素子などには、SiC金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した。
東京大学工学系研究科電気系工学専攻の高木信一教授、竹中充准教授は、0・3ボルト程度と超低電圧で動作するトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFET)を開発した。... 従来のトランジス...
提案するのは絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、電界効果トランジスタ(MOS―FET)の半導体インバーター式電源装置。
産業技術総合研究所のナノエレクトロニクス研究部門の臼田宏治特定集中研究専門員らは、3次元(3D)積層技術による高密度集積回路(LSI)向けのp型・n型両極性多結晶ゲルマ...
アナログ・デジタル信号処理とパワー制御を1チップに形成する「BiC−DMOS」プロセスを採用し、金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)のオン抵抗を低減することでICの発熱を抑え...
開発したのはSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)。... トランジスタの破壊を未然に防止する。 ... 今後、トランジスタの製造プロセスを改良...
これを機に、応用先を照明などの家電製品から、金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)や車載用電子部品の基板といった産業用途に広げる。
完成した「BD9428=写真」は、LEDの駆動を制御する金属酸化膜電界効果トランジスタ(MOSFET)の耐圧を80ボルト(従来は60ボルト)、最大電流を250ミ...
