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半導体基板には50ミリメートル角の大きさが必要で、まずは単結晶をつなげたモザイクウエハーの開発を目指す。
25ミリメートル角のウエハー開発が完了後、25年度には25ミリメートル角のウエハーを四つつなげた50ミリメートル角のモザイクウエハーも開発する計画。
これまでに、大型加速器を活用した自立膜作製技術やCVD法では異例となる10ミリメートル程度の厚みを持ったバルク結晶の作製技術、単結晶同士を実質的に一体化する加速的サイズ拡大技術(モザイクウエハ...