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機械技術12月号/半導体製造の今と関連する部品加工技術 (2024/11/22 機械・ロボット・航空機)

共和製作所(愛知県碧南市)は炭素繊維強化プラスチックを加工し、極端紫外線(EUV)露光装置の静電チャックを想定した部品を製作した。

先端半導体の製造では蘭ASMLの極端紫外線(EUV)露光装置が覇権を握るが、キヤノンはNIL装置をてこに最先端への再参入を狙う。... EUV露光装置は光源の出力を高めることで半導体製...

産業技術総合研究所(産総研)は3―5年後をめどに極端紫外線(EUV)露光装置を使った先端半導体の研究開発拠点を開設する。... 日本の研究機関としては初めてEUV露光装...

最先端の半導体分野では極端紫外線(EUV)露光装置を手がける蘭ASMLが独占するが、EUVに比べて解像性の低い装置もメモリーや車載向けなど幅広い分野で需要が強まっている。... 一方、...

2024年末に日本で初めて極端紫外線(EUV)露光装置をパイロットラインに導入。

シンプルな極端紫外線(EUV)露光技術を開発した。 減衰率の大きかったミラーを削減し、小型EUV光源で露光できるようになる。... 「検査用EUV光源で露光装置に挑戦...

京セラ、低熱膨張「コージライト」を天文・宇宙向けに拡販 (2024/8/2 電機・電子部品・情報・通信)

同社はコージライト製品を主に半導体の露光装置向けに展開。もともとは低熱膨張ガラス製のウエハー保持用ステージの代替素材として提案し拡販してきたが、現在は最先端の極端紫外線(EUV)露光装...

人員強化、2年で600人体制 オランダのASMLは先端半導体の製造に必須な極端紫外線(EUV)露光装置を世界で唯一製造できる企業だ。... 「24年中にはラピダスにE...

東京エレクトロン、ガスクラスタービーム装置発売 EUV露光回路補正 (2024/7/23 電機・電子部品・情報・通信2)

東京エレクトロンは極端紫外線(EUV)露光装置により回路のパターン形成を補正するガスクラスタービーム装置「Acrevia=写真」の販売を始めた。... EU...

24年中にはラピダス(東京都千代田区)が北海道のパイロットラインに、日本で初めて極端紫外線(EUV)露光装置を導入。... ASMLが人員強化に動く背景には、日本政府の...

リンテックは次世代極端紫外線(EUV)露光装置用カーボンナノチューブ(CNT)ペリクル(防塵膜)を開発しサンプル提供を始めた。......

これまでは後工程のみだったが、極端紫外線(EUV)露光装置用ペリクル(防塵膜)で前工程への参入も目指している。

インタビュー/住友化学社長・岩田圭一氏 4部門制、投資メリハリ (2024/7/8 素材・建設・環境・エネルギー)

次世代極端紫外線(EUV)露光機に対応するレジストを開発し、トップランナーを目指す」 ―石油化学関連は環境負荷低減技術に舵を切る方針です。

住友化学は次世代極端紫外線(EUV)露光装置向けフォトレジストを開発する。... 次世代EUV露光装置は微細な回路パターンを描くため、光の利用効率が高い高NA...

また、速度がDRAMとNANDの中間のメモリーを開発できないか考えている」 ―NANDにおいて、極端紫外線(EUV)露光装置の導入の可能性はありますか。 &#...

三井化、露光用CNTペリクルを量産化 岩国大竹工場を増強 (2024/6/12 素材・建設・環境・エネルギー1)

傷やホコリを付きにくくする機能を持ち、露光工程の生産性を向上できる。 ... このため回路線幅の超微細化ニーズが高まっており、微細化回路形成用の極端紫外線(EUV)露...

EUV露光装置を複数導入 米半導体大手マイクロン・テクノロジーが2027年末にも先端DRAMの新工場を稼働することが分かった。26年早々に広島工場(広島県東広島市)の...

100億ドル以上の露光などと比べ小さい。... 線幅数ナノメートル(ナノは10億分の1)世代の最先端半導体の製造に必要な極端紫外線(EUV)露光装置の開発からニコンとキ...

TSMC副社長、蘭ASML製の半導体製造装置は高過ぎる (2024/5/16 電機・電子部品・情報・通信1)

アムステルダムで開催されたテクノロジーシンポジウムに参加したTSMCのケビン・チャン上級副社長はASMLの高NA(開口数)極端紫外線(EUV)露光装置について、「非常に...

前工程では北海道千歳市での生産拠点の建設や、極端紫外線(EUV)露光装置などの設備の導入を進める。

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