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記事検索結果
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日刊工業新聞社などで構成する未来モノづくり国際EXPO実行委員会がインテックス大阪(大阪市住之江区)で開催した「未来モノづくり国際EXPO2024」の出展者を対象と...
研究成果を超高密度不揮発性メモリーや超低消費電力人工知能(AI)用メモリーなどにして社会実装につなげる。 ... メモリー材料としての実用化は28年ごろを目指している...
経済産業省と新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)は、速度などでDRAMとNANDの中間の性質を持つ次世代メモリーの製造技術開発を支援する。... 次世代メ...
NANDの進化に加え、次世代メモリーの開発や人工知能(AI)を活用した研究を行う。... EUVを使うアイデアは考えているが、現状は難しいのではないか」 【記者の目&...
メモリー半導体大手のキオクシアは28日、次世代メモリーの研究開発など新規事業につながるような技術創出力を強化するため、4月1日付で「先端技術研究所」を新設すると発表した。既存の「メモリ技術研究所」を再...
東北大学の岡部博孝特任助教らは、茨城大学、高エネルギー加速器研究機構、物質・材料研究機構と共同で、素粒子「ミュオン」を使い、次世代メモリー材料として期待される二酸化バナジウム中のナノスケール領域...
米マイクロン・テクノロジーも広島工場で、国内で初めてEUV(極端紫外線)露光装置を使った次世代メモリー半導体の量産を計画する。
高度な電子素材の開発や次世代メモリーといったさまざまな用途に応用できると期待される。
マイクロンが2025年12月―26年2月の出荷を目指している、国内で初めてEUV(極端紫外線)露光装置を使った次世代メモリー半導体の量産に最大1670億円、同半導体を積層した先端DRA...
低消費電力の次世代メモリーなどにつながる。 ... こうしたスピン流と電流の相互変換現象を利用すると、磁化反転を高効率化し次世代磁気抵抗メモリーなどにつながると期待される。
反りや充填性などの課題を解決し、先端半導体パッケージや次世代メモリーなどの薄型化・小型化に貢献する。
メモリーなどに使われるトンネル磁気抵抗素子に用いると性能が10―1000倍向上する見込み。 ... 反強磁性的ハーフメタルは次世代メモリーなどに応用できるが2例しか見つかっ...
アドバンテストは、試験速度を従来機比2倍以上に高めたメモリー向け試験装置(テスター)「T5835」を発売した。... DRAM、NANDフラッシュメモリーの高速テス...
感染症/災害/次世代メモリー 計算資源活用前倒し 世界最速のスーパーコンピューター「富岳(ふがく)」が9日に本格稼働する。... 新型コロ...
【強誘電分極】 次世代メモリー材料として期待されているマルチフェロイクス物質は、物質内で電子スピンが整列すると、それに伴って物質内で電子の偏り(強誘電分極)が発生する...
ソニーは小型の次世代メモリーカード規格「CFエクスプレス タイプA」に世界で初めて対応したメモリーカード「CEA―G80T=写真」「G160T」を10月9日に発売する。... 先進のフ...
磁気抵抗メモリー応用 【記録容量小さい】 ハードディスクドライブ(HDD)の記録容量は、過去数十年で飛躍的な増大を果たした。... TMR素子は次世...
東芝メモリは6日、次世代メモリーと呼ばれるストレージ・クラス・メモリー(SCM)の新製品「XL―FLASH」を開発したと発表した。... 新製品は3次元NAND型フラッシュメモリー技術...
