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3次元型NANDフラッシュメモリーの独自の製造技術を用いたLSIで、積層化によってチップ面積を減らしたことでチップ内の配線が短くなり、遅延時間が短縮されて動作速度が向上した。... 下層から上層に向か...

研究チームは、積層型3次元型NANDフラッシュメモリーにおける独自の製造技術を活用し、強誘電体を使った電界効果トランジスタ(Fe―FET)を縦方向に接続する構造を新たに提案した。...

3次元型フラッシュメモリー固有の製造技術をシステムLSIに転用することで、これまで不可能だったシステムLSIの大規模化を微細化せずに実現する。... 渡辺教授は3次元型NANDフラッシュメモリーの独自...

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