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産業技術総合研究所はインテルと最先端の極端紫外線(EUV)露光装置を運用するJ―ALC構想を進める。

機械技術12月号/半導体製造の今と関連する部品加工技術 (2024/11/22 機械・ロボット・航空機)

共和製作所(愛知県碧南市)は炭素繊維強化プラスチックを加工し、極端紫外線(EUV)露光装置の静電チャックを想定した部品を製作した。

富士フイルム、EUV向け材料の生産拡充 (2024/11/12 素材・建設・環境・エネルギー2)

富士フイルムは先端半導体の製造で使う極端紫外線(EUV)向けフォトレジストとEUV現像液を発売した。... 併せて、静岡県吉田町と韓国・平沢(ピョンテク)の生産拠点でE...

ニコンの4ー9月期、増収営業減益 半導体露光装置が不調 (2024/11/8 電機・電子部品・情報・通信)

コンポーネント事業も市況の回復遅れで、極端紫外線(EUV)関連コンポーネントやエンコーダーなどの販売が不調だった。

露光によって化学的な変化を伴うあらゆるレジストに対して適用でき、最先端半導体製造向けの「HNA型極端紫外線(EUV)リソグラフィ」用のレジストにおける検査も可能になると見込まれる。&#...

九大は極端紫外線(EUV)技術開発にも力を入れており、7月にはEUV光の照射と解析評価を行う新会社を設立した。「EUV技術が日本になければ、トップシェアを持つ日本の素材メーカーが次世代...

極端紫外線(EUV)向けフォトレジストなどの開発・生産・品質評価機能を強化。

特に7ナノメートル(ナノは10億分の1)以下の先端半導体ではEUV露光装置が不可欠だ。... EUV露光装置は光源の出力を高めることで半導体製造に使えるようにした。 ...

キセノンランプなどを製造する電子管事業部が主導し、次世代の光源としてエナジティックのレーザー励起光源(LDLS)や極端紫外線(EUV)光源を獲得した。

米インテルがEUV技術の製造ノウハウなどの部分で協力する。... 日本の研究機関としては初めてEUV露光装置を導入する。... EUV露光装置は回路線幅が微細な半導体の製造には必要不可欠だ。

最先端の半導体分野では極端紫外線(EUV)露光装置を手がける蘭ASMLが独占するが、EUVに比べて解像性の低い装置もメモリーや車載向けなど幅広い分野で需要が強まっている。... 半導体...

これは極端紫外線(EUV)リソグラフィーで得られるパターン線幅の下限値よりも小さい。

2024年末に日本で初めて極端紫外線(EUV)露光装置をパイロットラインに導入。

シンプルな極端紫外線(EUV)露光技術を開発した。 減衰率の大きかったミラーを削減し、小型EUV光源で露光できるようになる。... 「検査用EUV光源で露光装置に挑戦...

光源を低出力化 沖縄科学技術大学院大学(OIST)の新竹積教授は、極端紫外線(EUV)リソグラフィー装置のミラーを4枚に削減する光学系を発明した。EU...

京セラ、低熱膨張「コージライト」を天文・宇宙向けに拡販 (2024/8/2 電機・電子部品・情報・通信)

もともとは低熱膨張ガラス製のウエハー保持用ステージの代替素材として提案し拡販してきたが、現在は最先端の極端紫外線(EUV)露光装置でも採用されている。

「24年中にはラピダスにEUV露光装置が導入される。... EUV露光装置に触れられる環境として、imec(ベルギーの国際半導体研究機関)などがある」 ―米インテルに...

東京エレクトロン、ガスクラスタービーム装置発売 EUV露光回路補正 (2024/7/23 電機・電子部品・情報・通信2)

従来、複数回必要だったEUV露光の工程を削減し、コスト低減に寄与する。 ... EUV露光は先端半導体の製造には不可欠。一方、EUV露光装置の運転には大量の電力を使用するなどの課題も...

24年中にはラピダス(東京都千代田区)が北海道のパイロットラインに、日本で初めて極端紫外線(EUV)露光装置を導入。... ASMLが人員強化に動く背景には、日本政府の...

リンテックは次世代極端紫外線(EUV)露光装置用カーボンナノチューブ(CNT)ペリクル(防塵膜)を開発しサンプル提供を始めた。......

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