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記事検索結果
28件中、1ページ目 1〜20件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.004秒)
レゾナックの高い品質のSiC単結晶基板とソイテックの基板貼り合わせ技術を組み合わせることで、生産性などを高める。... レゾナックがSiC単結晶をソイテックに供給し、ソイテックがSiC貼り合わせ基板を...
切断加工機などの各種加工機を導入し、SiC単結晶の切断から、研削、研磨までの工程に対応する。... 新工場建設を機に新事業のパワー半導体向けSiCウエハー加工の推進と同時に、既存のセラミックス加工事業...
自社製SiC単結晶基板を用いて開発した。SiCパワー半導体は車載用途などで需要の急拡大が予想される。... 同社はSiCエピウエハーの外販で世界首位。
引き合いが増加する中、同社は3月に6インチSiC単結晶基板の自社生産を始めることも公表。... 超臨界状態にしたアンモニアにGaN多結晶を溶かし、単結晶を再析出させる。... 融液法で単結晶を育成し、...
昭和電工は28日、パワー半導体向けに6インチの炭化ケイ素(SiC)単結晶基板の量産を開始したと発表した。同社は同基板上にエピタキシャル薄膜を成長させたSi...
【2000℃以上】 東洋炭素はシリコンや炭化ケイ素(SiC)単結晶製造工程向けのほか、ウエハー上に窒化ガリウム(GaN)層を製膜する際に使用する「MO...
SiCのインゴット(塊)を作る工程からウエハー化する工程までを低コスト化するため、材料や装置、プロセス技術を持つ企業が連携。... 「次世代SiC結晶成長技術開発プロジェクト」は、高品...
住友電気工業は炭化ケイ素(SiC)パワーデバイス用の直径6インチ(150ミリメートル)単結晶基板「CrystEra(クリステラ)=写真」を開発し...
6インチの高品質なSiC単結晶の登場によって、世界中でパワーデバイス開発が加速しつつある。 産業技術総合研究所(産総研)では2000年からSiC単結晶育成技術の本格的...
【名古屋】SiCツールズ(名古屋市中区、青木渉社長、052・799・7601)は、市販の切削工具に3次元(3D)CMP(化学機械研磨)を施し、鋭利さを示...
■ナノレベルの微細加工に対応■ ビーティーティー(BTT、名古屋市守山区、和久田修志社長、052・736・8441)は、名古屋工業大学と共同で刃先に炭化ケイ素(...
SiC単結晶の切削工具は珍しいという。... 同社はSiC単結晶に金属原子を付与し、硬度を高める手法を研究。... また、刃先形状の作り込みでは、SiC単結晶の研磨手法を確立。
一方、新日鉄住金はSiCウエハー研究開発から撤退することになる。... 昭和電工は新日鉄住金が保有する150ミリメートル口径(6インチ)SiC単結晶ウエハーの研究開発と、100ミリメー...
名古屋大学未来材料・システム研究所博士後期課程の角岡洋介氏、宇治原徹教授らの研究チームは、人工知能(AI)技術の一種であるニューラルネットワークを利用して炭化ケイ素(SiC&#...
電力中央研究所、デンソー、昭和電工は12日、電力の損失が少ないパワー半導体に使う高品質なSiC(炭化ケイ素)単結晶膜を高速で製造する技術を確立したと発表した。... 膜厚の均一性が2&...
産業技術総合研究所、太平洋セメント、屋久島電工(東京都中央区、下泉学社長、03・3243・1112)は、従来の約2倍の速さでパワー半導体用の炭化ケイ素(SiC)単結晶が...
安価なシリコン基板上に高品質なSiC単結晶薄膜を低コストで量産する技術で、業界初という。... SiCは通信関連の高周波デバイス用などに見込まれる窒化ガリウム(GaN)の製膜に適し、同...
ブリヂストンは電力制御用半導体(パワー半導体)の素材である炭化ケイ素(SiC)単結晶ウエハーの開発から撤退した。... ブリヂストンは約10年前にSiC単結晶ウエハーの...
SiC下地基板は、シリコン(Si)基板上に3マイクロメートル(マイクロは100万分の1)程度の立方晶(3C)系SiC層をエピタキシャル成長法という結晶成...
