記事検索結果

日立パワーデバイス、SiCパワー半導体増産 26年度めど3倍（2022/10/4 総合１）

SiCパワーデバイスの課題とされる耐久性と低消費電力特性を向上したのが特徴で、21年にサンプル出荷を始めた。... SiCパワー半導体は価格がシリコン(Si)製品の約3倍ともいわれ、普...

産総研、SiCで大型共同研究ウエハー低コスト量産（2021/3/10 総合１）

SiCのインゴット(塊)を作る工程からウエハー化する工程までを低コスト化するため、材料や装置、プロセス技術を持つ企業が連携。... 「次世代SiC結晶成長技術開発プロジェクト」は、高品...

SiC結晶、電気特性を非破壊測定名古屋工大（2019/1/10 科学技術・大学）

【名古屋】名古屋工業大学大学院工学研究科の加藤正史准教授らは、パワーデバイス材料のシリコンカーバイド(SiC)結晶を非破壊で内部の電気特性を測定する技術を開発した。... SiC結晶の...

名古屋大学未来材料・システム研究所博士後期課程の角岡洋介氏、宇治原徹教授らの研究チームは、人工知能(AI)技術の一種であるニューラルネットワークを利用して炭化ケイ素(SiC&#...

拓く研究人(91)名古屋大学助教・原田俊太氏(31歳) （2015/9/30）

SiC結晶は「昇華法」で量産されている。SiCを2500度Cに加熱、蒸発させ、結晶を成長させる。... そして種結晶のわずかな傾きでSiC結晶が階段状に成長し、転位が水平方向に伸びる仕組みを突き止めた...

17年度までに信州大学などを中心に次世代SiC(炭化ケイ素)パワーデバイスのための放熱絶縁材、難燃複合材、光プローブ電流センサー、非接触電力電送の効率化技術などを開発する。... 従来...

新日本無線、高速切り替え可能にした音響機器向けダイオード（2013/11/14）

新日本無線は高性能の音響機器向けデバイス「MUSES(ミューズ)」シリーズに、SiC―SBD(炭化ケイ素ショットキーバリアダイオード)「MUSES7001=写真...

産総研・高エネ研、窒素微量不純物原子の微細構造を解析（2012/11/15）

開発した超電導技術による分光装置を用いて、従来不可能だったSiC結晶中の窒素などの微量元素を測定することで実証した。... この装置でSiC結晶の中の微量な窒素ドーパントのX線吸収微細構造(X...

JFCC、炭化ケイ素結晶の欠陥構造「らせん転位」を解明（2012/8/31）

【名古屋】ファインセラミックスセンター(JFCC)は30日、炭化ケイ素(SiC)結晶で結晶面が上下にずれる「らせん転位」と呼ばれる欠陥の構造を解明したと発表した。......

SiC結晶に水酸化カリウムの蒸気を当て、欠陥のある場所にくぼみを発生させ、ケイ素のみの表面と炭素のみの裏面の穴や結晶配列のずれなどを特定する。SiC結晶の品質向上につながる可能性がある。 &#...

新日本無線、基板にSiC採用のオーディオ用ダイオード投入（2011/12/1）

新日本無線は2012年3月末までに、基板に炭化ケイ素(SiC)を用いたオーディオ専用ダイオードを発売する。... オーディオ用ダイオードの基板はシリコンが主流で、オーディオ用にSiCを...

大阪科学賞、京大の木本氏・阪大の山下氏に（2011/10/24）

木本教授の業績は「炭化ケイ素(SiC)パワー半導体に関する先駆的研究」。既存の半導体にとらわれず、優れた性質を持つ新しい半導体材料であるSiCの研究に取り組み、この材料を革新的な省エネ...

スマートグリッド展2011/京都大学名誉教授・松波弘之氏（2011/6/16）

松波弘之京都大学名誉教授は「パワー半導体SiCが導くグリーンイノベーション」と題する特別講演を行った。... SiC半導体技術の開発経緯の説明では、エピタキシャル成長を使って高品質なSiC結晶を実現し...

点欠陥ほぼ消滅−京大がSiC半導体結晶を作製（2009/4/8）

京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授らは、炭素原子の抜け穴などの点欠陥をほぼ無くした炭化シリコン(SiC)半導体結晶を作製した。SiC結晶を酸化雰囲気での熱処理(熱酸化...

シリコン上に薄膜の種となる炭化ケイ素(SiC)結晶を並べ、真空装置に水素とメタンガスを投入し、マイクロ波を使ってダイヤ膜を合成する。 ... その完成度はSiC結晶の形や向きの...

京大、電力損失10分の1以下の炭化シリコンMOSFETを作製（2008/5/20）

京都大学の木本恒暢教授、須田淳准教授、登尾正人研究員らは、炭化シリコン(SiC)横型の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製した。p型領域を加えた新...