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東北大、MTJ素子の特性設計確立 STT―MRAM実用化へ（2024/1/15 科学技術・大学）

省エネルギーなスピン移行トルク磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)の実用化につながる。 ... STT―MRAMはデータ保持のための電力が要らない。

技術で未来拓く産総研の挑戦(229)不揮発性磁気メモリー（2022/9/22 大学・産学連携）

MRAMの記憶素子は、2層の磁石間に薄いトンネル層を挟んだ磁気トンネル接合素子である。... 現在、この記憶素子に電流を流すことで情報の読み込みと書き込みを行うSTT―MRAMが主流であり、システムL...

東北大、磁気トンネル接合素子で10ナノ秒以下高速書き込み動作実証（2021/12/16 科学技術・大学）

半導体の1ナノメートル世代以降のオングストローム世代(オングストームは100億分の1メートル)までスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)技術を延伸できることに...

東工大など、SOT―MRAM素子作製不揮発性メモリー大容量化（2021/11/1 科学技術・大学）

内部は絶縁体だが表面に電気を通す「トポロジカル絶縁体」と、MRAMの記憶素子になる磁気トンネル接合を集積することに成功。... 実用化が始まっているスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRA...

経営ひと言/フルヤ金属・桑原秀樹取締役「今後は強含み」（2021/8/5 商品市況）

ただ、スピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)の材料に使われるなど引きは強い。

STT―MRAM向け記憶素子、書き換え耐性6000億回超東北大（2021/6/9 科学技術・大学）

東北大学の永沼博准教授と遠藤哲郎教授らの研究グループは、1ケタナノメートル(ナノは10億分の1)世代の集積回路に対応したスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)...

ソニー、メモリー一体の画像センサー機器の高性能化に貢献（2021/6/2 総合１）

ソニーセミコンダクタソリューションズ(神奈川県厚木市)の岡幹生デバイスエンジニアらが、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)イメージセンサーに積層できるスピン注入型磁気抵抗...

アドバンテスト、STT―MRAM向け検査装置 20年度めど投入（2018/6/8 電機・電子部品・情報・通信２）

アドバンテストは、2020年度をめどに次世代の半導体メモリー「STT―MRAM」向け検査装置を市場投入する。... 研究グループは、STT―MRAMの不良を検知できる半導体検査装置(写真...

東芝と東大、消費電力10分の1以下に抑えた磁性体メモリー回路開発（2016/2/2 科学技術・大学）

東芝と、東京大学の中村宏教授らの研究グループは1日、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)のプロジェクトとして、消費電力を従来メモリー比10分の1以下に抑えた新方式の磁性体メモ...

産総研、次世代不揮発性メモリーの記憶性能を2倍に向上（2016/1/11 科学技術・大学）

産業技術総合研究所は、次世代の不揮発性磁気メモリーである「スピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT―MRAM)」の記憶安定性を2倍に向上した。20ナノメートル世代(...

LEAP、直径20ナノメートルに微細化−磁気トンネル接合（2014/7/8）

超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、スピン(磁気的性質)注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)のメモリーのデータを蓄える磁気トンネル接合&#...

LEAP、新構造のMRAM開発−データ保持時間300倍（2012/12/12）

超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、ロジック高密度集積回路(LSI)混載のキャッシュメモリー向けにスピン注入型高性能磁気抵抗メモリー「STT―MRAM」を開発し...

東芝、電力消費量10分の1の不揮発性磁性体メモリー（2012/12/11）

東芝は動作時の電力消費量を従来比10分の1程度に低減した不揮発性磁性体メモリー「STT―MRAM」を開発した。... 開発したのは、垂直方向に磁化を記録する同社開発の垂直磁化方式STT―MRAMをベー...

低消費電力で書き込み速度が高速な「STT―MRAM」の製造装置技術の早期確立が狙い。... 13年に東北大学が開設する国際産学連携集積エレクトロニクス研究開発センター(仮称)内でSTT...

LEAP、不揮発性MRAMで1京回書き換え実証（2012/6/13）

富士通、日立製作所、東芝、三菱電機など電機メーカー10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、次世代記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM&#...