記事検索結果

技術で未来拓く産総研の挑戦(218)SiCパワーIC （2022/6/30 大学・産学連携）

炭化ケイ素(SiC)半導体は高電圧でも壊れにくい特性を持つため、従来のケイ素(Si)よりも高速にスイッチング可能なデバイス構造をとれる点で優れている。 ...

東芝D&S、電力損失半減のGaNパワーデバイスサンプル提供開始（2022/6/1 総合１）

シリコン(Si)デバイスに比べて電力損失を半減できる見通し。... 23年度に量産するデバイスはGaN電界効果トランジスタ(FET)とSi金属酸化膜半導体電界効果トラン...

NICT先端研究/情通機構(41)バンドギャップ大の酸化ガリウム実用化（2018/5/15 科学技術・大学）

現在主流のシリコン(Si)デバイスに関しては、すでにその性能が材料特性から期待される限界に近いところに到達しており、今後大幅な改善は難しくなってきている。そのため、特定の用途ごとに、S...

アルバック、ハンダ直接成膜工程開発−材料費を50%削減（2012/3/14）

アルバックは13日、パワー半導体などのシリコン(Si)デバイス製造で、スパッタリング法でハンダを電極に直接成膜するプロセスを開発したと発表した。