レーザーテックは、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体用ウエハーの表面と内部欠陥を高速で同時に検出・分類する検査装置「SICA108」の受注を始めた。... 内部の結晶...

レゾナックの高い品質のSiC単結晶基板とソイテックの基板貼り合わせ技術を組み合わせることで、生産性などを高める。... レゾナックがSiC単結晶をソイテックに供給し、ソイテックがSiC貼り合わせ基板を...

【横浜】レーザーテックは炭化ケイ素(SiC)パワー半導体用ウエハーの表面と内部欠陥を高速で同時に検出・分類する検査装置「SICA108=写真」を製品化し、受...

2025年度下期に、貼り合わせSiC基板の月産能力として6インチ換算で1万枚超えを目指す。ライセンス供与先に対し、多結晶SiC支持基板の供給も開始する予定。 サイクレストは独自の接合...

この工場ではSiC基板からテスト、パッケージングまで一貫して行う。... SiC基板から製造することで、デバイスの性能をコントロールできる。... 今後の市場拡大が見込まれるSiCの供給力を強化する」...

(SiC基板を供給する)米コヒレントの事業などへの出資も含め、今後のSiC事業の拡大を積極的に進める」―。... 楠事業部長はSiC半導体について「(自動車の)大電力化...

米社に出資、SiC基板確保 パワー半導体事業に力を入れる三菱電機。... 2023年にはSiCの基板を安定的に確保するため、半導体材料を手がける米コヒレントと提携するなど布石を打つ。...

原料のSiC基板から手がけており、近年は独インフィニオンテクノロジーズやローム、東芝デバイス&ストレージ(東京都港区)と相次ぎ長期供給契約を締結。... 信越化学工業はGaNエ...

炭化ケイ素(SiC)基板上に作製した同一形状のトランジスタに比べ、放熱性を2倍以上に高めた。... 研究チームはシリコン基板上にGaN層とSiCバッファ層を生成。... 今回、GaNと...

そういった産業用途と車載向けの両にらみで進める」 ―8インチSiC基板の確保に向け、半導体材料開発の米コヒレントと提携しました。 「SiCは歩留まりがほぼ100&#...

三菱電機は10日、の米コヒレントが炭化ケイ素(SiC)事業を分社化して設立する新会社に約5億ドル(750億円)を出資し、株式の12・5%を取得すると発表した。S...

EV半導体向け需要増 【名古屋】ノリタケカンパニーリミテドは、次世代パワー半導体とされる炭化ケイ素(SiC)の半導体基板やデバイスを研磨する工具「...

このほど米国企業と8インチのSiC基板を共同開発することを表明した。... コヒレントはSiC材料を長年開発しており、15年には世界初の8インチの導電性基板を実証し、19年には8インチSiC基板の提供...

27日、本社(東京都港区)でSiCエピウエハー事業説明会を開いた。SiC基板上にエピ層を成長させたSiCエピウエハーは、製造時に高温環境が必要なことなどが課題。... レゾナックはSi...

第3世代のハイグレードエピウエハーは、ウエハー品質の改善によりSiC基板内の欠陥の拡張を防ぎ、高い電流密度で電流を流した際にも高い信頼性を実現する。... SiC基板上にエピ層を成長させたSiCエピウ...

自社製SiC単結晶基板を用いて開発した。... 同社は自社製SiC基板に加え、外部から同基板を調達し、8インチエピウエハーの生産拡大や安定供給体制を構築する。... 同社はSiCエピウエハーの外販で世...

住友金属鉱山100%子会社のサイコックス(東京都港区)は、8インチ貼り合せSiC(炭化ケイ素)基板開発ラインを新設する。... 25年に既存...

昭和電工はSiC基板上にエピタキシャル薄膜を成長させたSiCエピウエハーの外販で世界最大手。... 外部調達と合わせて、基板を安定的に確保し、SiCエピウエハーの供給体制を強化する。 ...

スパッタ法は成膜に応力を付与でき、大口径シリコン基板に対応できる。... 三菱ケミカルホールディングスグループや住友化学はGaN単結晶基板、信越化学工業はGaN成膜用基板に取り組む。昭和電工は炭化ケイ...

昭和電工は28日、パワー半導体向けに6インチの炭化ケイ素(SiC)単結晶基板の量産を開始したと発表した。同社は同基板上にエピタキシャル薄膜を成長させたSi...