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[ エレクトロニクス ]
(2015/12/17 05:00)
富士電機は16日、電力損失を抑えたディスクリート(単機能)パワー半導体を開発し受注を始めたと発表した。絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の厚みを薄くす...
(残り:291文字/本文:371文字)
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富士電機は16日、電力損失を抑えたディスクリート(単機能)パワー半導体を開発し受注を始めたと発表した。絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の厚みを薄くす...
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