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記事検索結果
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ロームは1200ボルト耐圧の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)「RGAシリーズ」が、独セミクロンダンフォス(ニュルンベルク市)のパワーモジュール製品に採用され...
ショットキーバリアダイオード(SBD)と金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の650ボルトクラスと1200ボルトクラスの製品。... 自社設計したシリコ...
車載インバーターへ搭載した場合、従来の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)と比べて電力消費を6%減らせるという。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や炭化ケイ素(SiC)の車載用パワーモジュールの世界市場は、25年まで年率20%で拡大が見込まれている。
糖尿病患者の血糖値を常時測定する高性能な測定器や、電動車のエネルギー効率向上に貢献するパワー半導体の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)向けの温度センサーとして需要が増えている...
現状、EVインバーター向けなどのシリコン(Si)絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)やエアコンDCモーター駆動用「高圧IC」の需要が高まっており、生産能力が不足...
ルネサスエレクトロニクスは30日、電動車用インバーター向けパワー半導体として、シリコン(Si)絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)新製品&#...
ミネベアミツミは千歳事業所(北海道千歳市)のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)の生産能力を口径150ミリメートル(6インチ)ウエハー換算で従来...
脱炭素社会の実現に向けて、電気自動車(EV)用をはじめ、高効率なパワー半導体の需要が一段と高まることを見据え、甲府工場に現存する建屋を有効活用して、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ&#...
UMC日本子会社の三重工場(三重県桑名市)内に、直径300ミリメートルウエハーの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の製造ラインを新設し、2023年上期に生産を...
三菱電機は、再生可能エネルギー向けの1500ボルト電力変換機器などに対応した、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)モジュール(写真)...
国内の半導体関連企業と構築した“仮想垂直統合”と呼ぶサプライチェーン(供給網)に生産委託し、8月からIHクッキングヒーター用IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)...
シリコン系ではスプリットゲートという特性の高いMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)や、FS―IGBT(フィールドストップ型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ...
自動車業界など向けでニーズが高まる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)などのパワーデバイス検査に適するロジ...
東芝が開発したのは、パワー半導体の一種である「IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)」。ゲート電極を三つ持つ新構造を採用したほか、スイッチのオン・オフを高精度に切り替える制御技術...
IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)デバイスに最適な専用の駆動回路を搭載し、自己保護機能などを1パッケージ化した。
華域三電は昨秋、ロームの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)パワーデバイスなどを採用した電動コンプレッサーの量産を始めている。
ジャパンパワーデバイス(JPD、大阪市中央区、須山透社長、06・7777・4251)は、電磁誘導加熱(IH)製品など民生品向けに価格を抑えたIGBT(絶縁ゲート...
