オンセミ、電気自動車やエネルギーインフラアプリケーションの効率を向上させる次世代1200V EliteSiC M3Sデバイスを発表

業界標準パッケージでスイッチポジションごとのRDS(on)が業界最低の高速スイッチングMOSFETとハーフブリッジPIMを含む新しいポートフォリオ




インテリジェントなパワーおよびセンシング技術のリーディング・サプライヤであるオンセミ（onsemi、本社 米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq: ON）は、パワーエレクトロニクス設計者がクラス最高の効率とシステムコストの低減を実現できる、最新世代の1200V EliteSiCシリコンカーバイド（SiC）M3Sデバイスの発売を発表しました。この新しい製品ポートフォリオには、高いスイッチング速度を実現するEliteSiC MOSFETとモジュールが含まれており、増加する800Vの電気自動車(EV)向けオンボードチャージャ(OBC)、およびEV充電、ソーラー、エネルギー貯蔵システムなどのエネルギーインフラアプリケーションをサポートすることができます。


このポートフォリオには、標準F2パッケージで業界をリードする最低RDS(on)を実現した、ハーフブリッジPIM（Power Integrated Module）タイプの新しいEliteSiC M3Sデバイスも含まれます。これらのモジュールは、産業用アプリケーションをターゲットにしており、DC-AC、AC-DC、DC-DC高電力変換段に最適です。最適化されたDBC（ダイレクトボンド銅）設計により、並列スイッチ間でのバランスのとれた電流共有と熱分散が可能で、より高いレベルの統合を提供します。これらのPIMは、エネルギーインフラ、EVのDC急速充電、無停電電源装置(UPS)において高い電力密度を実現するよう設計されています。


オンセミで、シニア・バイス・プレジデント兼アドバンストパワー・ディビジョンのジェネラル・マネージャを務めるアシフ・ ジャクワニ（Asif Jakwani）は、次のように述べています。「オンセミの最新世代の車載用および産業用EliteSiC M3S製品を使用することで、アプリケーションの実装面積やシステムの冷却要件を低減でき、より高い効率と電力密度を備えた高電流コンバータを開発することができます」


車載規格の1200 V EliteSiC MOSFETは、最大22kWの高電流OBCおよび高電圧から低電圧へのDC-DCコンバータ用に最適化されています。M3S技術は、高速スイッチングアプリケーションに特化して開発されており、スイッチング損失においてクラス最高の性能指標を実現しています。



オンセミ（onsemi）について
オンセミ（Nasdaq: ON）は、より良い未来を築くために、破壊的なイノベーションを推進しています。オンセミは、自動車と産業用エンドマーケットに注力し、自動車の電動化と安全性、持続可能なエネルギーグリッド、産業オートメーション、5Gおよびクラウドインフラなどのメガトレンドにおける変化を加速させています。オンセミは、高度に差別化された革新的な製品ポートフォリオにより、世界の最も複雑な課題を解決するインテリジェントなパワーおよびセンシングのテクノロジを創出し、より安全でクリーンでスマートな世界を実現する方法をリードしています。オンセミはフォーチュン500(R)企業であり、S&P 500(R)指数に含まれています。オンセミの詳細については、www.onsemi.jpをご覧ください。


オンセミおよびオンセミのロゴは、Semiconductor Components Industries, LLC.の登録商標です。 本ドキュメントに掲載されているその他のブランド名および製品名は、それぞれの所有者の登録商標または商標です。






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情報提供元：PRTIMES
本リリースの掲載元：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000000254.000035474.html