STマイクロエレクトロニクス、最新のSTripFET F8技術を採用した、標準レベルの40VパワーMOSFETを発表

産業用・車載アプリケーション向けの電源、コンバータ、モータ駆動において優れたノイズ耐性と柔軟な設計を実現




STマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、標準レベルのしきい値電圧（VGSth）を備えた STripFET F8 40VパワーMOSFETを発表しました。同製品は、強化されたトレンチ・ゲート技術を搭載し、ノイズ耐性に優れており、ロジック・レベル制御を必要としないアプリケーションに最適です。

産業グレード製品の「STL300N4F8」および車載グレード製品の「STL305N4F8AG」は、ドレイン定格電流が300A以上、最大オン抵抗（RDS(on)）が1mΩで、高出力の電子機器において卓越した電力効率を実現します。動的な高速性能を高め、65nC（代表値）の総ゲート電荷と低いデバイス静電容量（Ciss、Crss）により、高頻度でスイッチングする環境下でも電力損失を最小限に抑えることができます。MOSFETに含まれるボディ・ダイオードの低い順方向電圧降下と高速逆回復特性によって、電力効率と信頼性を向上させています。

両製品に採用されているSTの最新のSTripFET F8技術は、コードレス家電や産業機器などの電源、コンバータ、モータ駆動の設計に活用できます。MOSFETの優れた電力効率により、バッテリ充電1回あたりの駆動継続時間が長くなり、高出力動作を続けても熱損失を低減するため熱管理が簡単になることで、小型化と部材コストの削減を実現します。また、車載グレード製品は、ボディ、シャーシ、パワートレイン・システムなど、車両全体に広がるモータ駆動とDC-DCコンバータに最適です。対象アプリケーションには、パワーウィンドウや、シート位置調整、サンルーフ開閉、ファンや送風機、電動パワー・ステアリング、アクティブ・サスペンション、排出量削減の制御システムなどがあります。

STのSTripFET F8技術により、広い安全動作領域（SOA）内で優れた堅牢性が実現するため、ドレイン・ソース間電圧（VDS）が大幅に低下するような大電力レベルにも対応可能です。また、最大接合部動作温度が175℃と高く、過酷な環境下での使用に耐えることができます。

STripFET F8技術はダイ寸法の小型化が可能なため、低オン抵抗のデバイスを実装面積の小さいパッケージに封止して競争力のある価格で提供できます。両製品とも、小型のPowerFLAT 5x6パッケージで提供されるほか、車載システム向けにはウェッタブル・フランク構造のパッケージ・オプションもあります。

STL300N4F8は現在入手可能で、単価は1000個購入時に約0.8370ドルです。車載グレードのSTL305N4F8AGの単価は、1000個購入時に約0.9730ドルです。

詳細については、ウェブサイトをご覧ください。

STマイクロエレクトロニクスについて
STは、50,000名以上の従業員を擁し、包括的なサプライ・チェーンと最先端の製造設備を有する世界的な総合半導体メーカーです。約20万社を超えるお客様や数千社のパートナー企業と協力しながら、お客様のビジネス創出や持続可能な社会をサポートする半導体ソリューションの開発ならびにエコシステムの構築に取り組んでいます。STのテクノロジーは、スマート・モビリティ、電力エネルギー管理の効率化、クラウド接続型自律デバイスの普及を可能にします。STは、2027年までのカーボン・ニュートラル（スコープ1、2、および3の一部）の実現を目標にしています。さらに詳しい情報はSTのウェブサイト（http://www.st.com）をご覧ください。

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STマイクロエレクトロニクス（株）
オートモーティブ製品グループ
〒108-6017 東京都港区港南2-15-1
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情報提供元：PRTIMES
本リリースの掲載元：https://prtimes.jp/main/html/rd/p/000001429.000001337.html